[发明专利]一种硅铝合金的制备方法无效
申请号: | 200910154914.2 | 申请日: | 2009-11-26 |
公开(公告)号: | CN101705383A | 公开(公告)日: | 2010-05-12 |
发明(设计)人: | 杨德仁;顾鑫;阙端麟 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C22C1/05 | 分类号: | C22C1/05 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 韩介梅 |
地址: | 310027*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铝合金 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种硅铝合金的制备方法。
背景技术
目前,为了降低硅太阳能电池的材料成本,物理法提纯金属硅制备太阳能级多晶硅被全世界广泛研究。其中,有一种叫“硅铝合金法”的提纯技术。这种技术需要将硅和铝混合后加热,利用硅在铝中的偏析原理提纯硅。但是,硅和铝的混合往往是不均匀的,这样容易导致最终产品的产率和质量下降。
传统意义上的铝硅系合金,也叫“硅铝明”或“矽铝明”。有良好铸造性能和耐磨性能,热胀系数小,是铸造铝合金中品种最多,用量最大的合金。但是,这种硅铝合金中硅的含量最高一般为25%,如果用于硅的提纯,那将是对铝的大量浪费,且难以达到降低成本的初衷。而传统的方法要么很难制备高硅含量的合金,要么耗时耗电,都不适用于低成本低能耗的物理法提纯。
发明内容
本发明的目的是提供一种新的硅铝合金的制备方法,用这种方法制备的硅铝合金具备硅含量高,混合均匀,致密性好,方法简单,成本低,能耗低的优点。
本发明的硅铝合金的制备方法,其步骤如下:
1)将粒径分别为0.05mm~10mm金属硅与金属铝去油、清洁、烘干后,按质量比金属硅∶金属铝=1∶0.5~1∶2.5混合均匀,压制成固体混合物;
2)将固体混合物放入加热炉中,加热至300~600℃,保温1~3h,然后升温至800~1250℃,保温3~19h,将炉温降低到室温,得到硅铝合金。
本发明利用了粉末冶金的原理,将硅和铝压制成形后加热,可以制备得到硅含量高,混合均匀,致密性好的硅铝合金,该方法具备操作简单,成本低,能耗低的优点,能够满足“硅铝合金法”提纯多晶硅的要求。
具体实施方式
实例1
1)将粒径为0.1mm的金属硅与粒径为0.1mm的金属铝分别用无水乙醇去油,用去离子水将附着的乙醇冲洗干净,烘干;按质量比金属硅∶金属铝=1∶2.5混合均匀,用10MPa的压力压制成圆柱体;
2)将步骤1)的圆柱体放入加热炉中,加热至300℃,保温1h,然后升温至800℃,保温3h,将炉温降低到室温,得到硅铝合金。此例中制得的硅铝合金经EDS能谱分析得知其硅铝分布均匀,经ICPAES分析得知硅含量达29%,密度为2.57g/cm3,与该硅含量下的铝硅合金密度理论数值很接近,证明其致密性较好。
实例2
1)将粒径为10mm的金属硅与粒径为10mm的金属铝分别用无水乙醇去油,用去离子水将附着的乙醇冲洗干净,烘干;按质量比金属硅∶金属铝=1∶0.5混合均匀,用40MPa的压力压制成圆柱体;
2)将步骤1)的圆柱体放入加热炉中,加热至600℃,保温6h,然后升温至1250℃,保温19h,将炉温降低到室温,得到硅铝合金。此例中制得的硅铝合金经EDS能谱分析得知其硅铝分布均匀,经ICPAES分析得知硅含量达61%,密度为2.48g/cm3,与该硅含量下的铝硅合金密度理论数值很接近,证明其致密性较好。
实例3
1)将粒径为0.05mm的金属硅与粒径为0.05mm的金属铝分别用无水乙醇去油,用去离子水将附着的乙醇冲洗干净,烘干;按质量比金属硅∶金属铝=1∶1混合均匀,用40MPa的压力压制成圆柱体;
2)将步骤1)的圆柱体放入加热炉中,加热至600℃,保温1h,然后升温至1200℃,保温6h,将炉温降低到室温,得到硅铝合金。此例中制得的硅铝合金经EDS能谱分析得知其硅铝分布均匀,经ICPAES分析得知硅含量达47%,密度为2.45g/cm3,与该硅含量下的铝硅合金密度理论数值很接近,证明其致密性较好。
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