[发明专利]集成电路引线框架的电镀方法

说明书

技术领域：

本发明涉及一种集成电路引线框架的制造方法，特别是涉及一种表面局部电镀的集成电路引线框架的电镀方法。

背景技术：

集成电路引线框架(比如行业通用型号QFN--方型扁平无引脚封装、QFP--四侧引脚扁平封装等)是制造集成电路半导体元件的基本部件。为满足制造集成电路半导体元件的需求，集成电路引线框架的表面局部区域需要电镀金属银或镍钯金，其余部分不要求有镀层，否则无法满足制造集成电路半导体元件的需求，所以集成电路引线框架进行电镀时需要用电镀掩膜对其表面不需要进行电镀的部分进行保护。现有技术集成电路引线框架的电镀方法(如图1所示的工序图)为：贴干膜；曝光；显影；电镀；退干膜，而这种电镀方法采用全涂干膜加曝光和显影的工艺步骤，来形成电镀掩膜，但是由于干膜的价格较高，且在工艺过程中需要在集成电路引线框架的表面全贴干膜，在进行曝光显影去掉需电镀区对应的干膜，则干膜的浪费量大，所以电镀的成本很高，不利于引线框架的批量生产。

发明内容：

本发明的目的是为解决以上技术问题，提供一种电镀成本较低，有利于批量生产的集成电路引线框架的电镀方法。

本发明的技术方案是：一种集成电路引线框架的电镀方法，它包括以下步骤：

①.根据引线框架制作丝网印版；

②.将感光油墨稀释，感光油墨与稀释剂掺和比例为7∶3；

③.将稀释后的感光油墨铺满丝网印版的上端面后，对引线框架进行印版，在引线框架的上下表面形成油墨膜层；

④.对印版后的引线框架进行烘干，烘干温度为80℃～160℃，时间为5～45分钟；

⑤.对烘干后的引线框架进行曝光，曝光要求在无尘的环境下进行，曝光时间为10～30秒，光照强度为100～1400MJ，环境温度为10℃～50℃；

⑥.对曝光后的引线框架用显影液进行显影，显影时间为100～200秒，显影后用清水冲洗并晾干；

⑦.将步骤⑥处理完的引线框架接上导线后，放入电镀液中进行电镀，完成后使用清水进行清洗并晾干；

⑧.对电镀完的引线框架进行退膜处理，喷洒氢氧化钾溶液去除油墨膜层，喷洒时间100～300秒，温度为40℃～80℃；

⑨.将步骤⑧处理完的引线框架用清水清洗完，并晾干即可。

所述的感光油墨为感光绿油。

所述的步骤④中的烘干温度为100℃～140℃，时间为10～30分钟。

所述的步骤⑤中的曝光时间为15～25秒，光照强度为300～1200MJ，环境温度为15℃～45℃。

所述的步骤⑥中的显影液为Na₂CO₃·10H₂O，显影时间为120～180秒。

所述的氢氧化钾溶液的浓度为40～50g/L。

所述的步骤⑧中的喷洒时间为150～250秒，温度为50℃～70℃。

与现有技术相比，本发明由于采用了先用感光油墨及丝网印版技术来在引线框架上涂膜，再进行曝光显影及电镀，则丝网印版只是针对特定区域进行的印版，能够有效的节省感光油墨的用量，感光油墨的用量要明显少于干膜的用量，再者感光油墨的价格明显低于干膜的价格。因此本发明电镀成本较低，有利于批量生产。

附图说明：

图1为现有技术集成电路引线框架的电镀方法的工序示意图。

图2为本发明集成电路引线框架的电镀方法的工序示意图。

具体实施方式：

下面结合具体实施实例说明，但本发明不仅限于以下具体实施实例：

实施例1

如图2所示一种集成电路引线框架的电镀方法，它包括以下步骤：

①.根据引线框架制作丝网印版5，按常规的刻制丝网印版5的方法即可；

②.将感光油墨6稀释，感光油墨6与稀释剂掺和比例为7∶3，所述的感光油墨6为感光绿油，感光绿油和稀释剂均为市售产品，稀释剂为香港太阳油墨有限公司(Taiyo ink international limited)生产的型号为CA-40 AUS303，只需购买后按比例配制即可；

③.将稀释后的感光油墨6铺满丝网印版5的上表面后，如图2(a)所示对引线框架1进行双面印版，则如图2(b)在引线框架1的上下表面的局部区域形成油墨膜层7，印版的手法与常规的印版手法相同；

④.对印版后的引线框架1进行烘干，烘干在常规的锯炉中进行，烘干温度为100℃～120℃，时间为25～30分钟；