[发明专利]超长光吸收作用距离的光纤化学传感器及其制备方法

权利要求书

1.超长光吸收作用距离的光纤化学传感器，包括支架和光纤，其特征在于所述的光纤绕制在所述的支架上，所述的光纤包括相间设置的去包层段和未去包层段，其中未去包层段与支架接触，而去包层段与支架不接触；所述的支架包括两块平行设置的平板和一对半圆筒，所述的一对半圆筒两端设置在所述的两平板上，开口相向并保持一定的间距；所述的光纤绕制在该对半圆筒上，其中未去包层段与半圆筒接触，去包层段垂置在该对半圆筒之间。

2.如权利要求1所述的超长光吸收作用距离的光纤化学传感器，其特征在于所述的平板上被半圆筒围合区域设有半圆孔。

3.如权利要求1所述的超长光吸收作用距离的光纤化学传感器，其特征在于所述的半圆筒表面布置若干不规则槽沟。

4.如权利要求1-3任何一项所述的超长光吸收作用距离的光纤化学传感器，其特征在于所述的支架采用耐腐蚀高分子聚合物，所述的光纤为多模石英光纤。

5.如权利要求4所述的超长光吸收作用距离的光纤化学传感器，其特征在于所述的支架采用聚四氟乙烯。

6.如权利要求1所述的超长光吸收作用距离的光纤化学传感器的制备方法，其特征在于按以下步骤进行：

1）将一对半圆筒的两端粘合在两块平行设置的平板上制成支架，所述的一对半圆筒开口相向，并保持一定的间距；

2）根据支架尺寸标记光纤上去包层段位置，剥除此处光纤涂覆层，然后连续地绕制在所述的一对半圆筒上；

3）在未去涂覆层的光纤处上胶使其固定在半圆筒上；

4）将支架连同绕制在上面的光纤浸入腐蚀液中腐蚀，控制腐蚀时间到包层完全去除后即停止腐蚀。

7、如权利要求6所述的超长光吸收作用距离的光纤化学传感器的制备方法，其特征在于所述的支架采用聚四氟乙烯，所述的光纤为多模石英光纤，所述的腐蚀液为氢氟酸。