[发明专利]一种量子阱混合方法有效
| 申请号： | 200910153253.1 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101697341A | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 何建军;张欣;彭盛华 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01S5/026 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 量子 混合 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种量子阱混合方法，利用氮等离子体作为等离子源局部处理包含量子 阱结构的化合物半导体晶片的牺牲层表面，在牺牲层表面产生晶格缺陷，接着 通过快速退火使部分晶格缺陷扩散到量子阱区域，导致量子阱和垒的成分在界 面处混合，从而改变量子阱区域的能带结构；其特征在于：
其中氮等离子体是由感应耦合等离子体刻蚀机产生，所述感应耦合等离子 体刻蚀机的气体流量为10～200sccm，感应耦合等离子体功率为1～500w，射频功 率为1～3000w，腔体压力为1～80mTorr，腔体温度为20～80摄氏度，处理时间为 30秒～15分钟。
2.如权利要求1所述的一种量子阱混合方法，其特征在于：所述快速退火 的温度为600～800摄氏度，时间为30秒～2分钟。
3.如权利要求1所述的一种量子阱混合方法，其特征在于：所述化合物半 导体晶片包含InGaAsP/InP量子阱区域。
4.如权利要求1所述的一种量子阱混合方法，其特征在于：所述牺牲层的 作用是使得等离子体处理产生的晶格缺陷限制在这层牺牲层内，所述牺牲层在 快速退火后被去掉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
