[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种存储器装置的操作方法，且特别是有关于一种闪 存的操作方法。

背景技术

闪存具有可多次进行数据的存入、读取、擦除等动作，且存入的数据 在断电后也不会消失等优点，故成为个人计算机、便携式计算机、以及数 码相机等电子设备所广泛采用的一种非易失性存储器元件。然而，闪存在 使用一段时间后，会有一些位发生错误，进而造成数据的存取错误。针对 上述情况，现有技术一般会使用错误校正码(Error Correction Code)来进行 错误校正。

图1A与图1B分别为现有技术利用错误校正码来编程与读取闪存的 方法流程图。如图1A所示的，在编程闪存的过程中，现有技术在将所接 收到的使用者数据存入缓存器之后(步骤S111与S112)，即依据使用者数 据来产生错误校正码(步骤S113)，并将使用者数据与错误校正码同时写入 闪存(步骤S114)。以此，如图1B所示，在读取闪存的过程中，现有技术 在将所读取到的错误校正码以及读取数据存入缓存器之后(步骤S121与 S122)，即可利用错误校正码来校正读取数据，并进而取得使用者数据(步 骤S123)。接着，现有技术将可暂存并输出使用者数据(步骤S124与S125)。

值得注意的是，对于多级存储单元(Multi Level Cell，以下简称MLC) 闪存而言，由于其是透过多个不同级别的阈值电压来记录位的信息，因此 如图2所示，MLC闪存往往会因为阈值电压VT的重叠(overlap)分布210， 而造成读取电平RD无法辨别位的信息。此外，存储单元的过度编程 (over-program)以及电荷损失(charge loss)是导致阈值电压偏移的主因，且过 度编程是发生在使用者数据写入至闪存的过程中，而电荷损失则是随着存 储单元的循环操作而不断地累加。

对于现有技术而言，其只是利用在写入使用者数据之前所产生的单一 错误校正码来进行错误校正。因此，对于使用者数据在写入的过程中因过 度编程所产生的错误，或是使用者数据在写入后因电荷损失所产生的错 误，现有技术必须不断地提高错误校正码的可更正位数才能完成错误校 正。然而，随着错误校正码的可更正位数的提高，现有技术势必要增加硬 件设施来支持复杂且庞大的错误校正码的演算。

发明内容

本发明提供一种存储器装置的操作方法，除了有助于存储器装置的更 正能力的提升，更有助于降低存储器装置的硬件设施的复杂度。

本发明提供一种存储器装置的操作方法，可以提升存储器装置的更正 能力。

本发明提供一种存储器装置，具有较佳的更正能力。

本发明提出一种存储器装置的操作方法，包括下列步骤。在控制存储 器装置的过程中，根据一使用者数据产生一第一错误校正码。接着，将使 用者数据写入至存储器装置。之后，将读取存储器装置中的使用者数据， 并根据所读取到的使用者数据产生一第二错误校正码。最后，将第一错误 校正码与第二错误校正码写入至存储器装置。

从另一角度来看，本发明另提出一种存储器装置的操作方法，其中所 述存储器装置储存有一第一错误校正码与一第二错误校正码，且所述存储 器装置的操作方法包括下列步骤：读取存储器装置中的第一错误校正码、 第二错误校正码以及一读取数据；接着，利用第二错误校正码校正读取数 据，以获得一临时数据；以及，利用第一错误校正码校正临时数据，以获 得一使用者数据。

在本发明的一实施例中，上述的存储器装置的操作方法更包括：将读 取数据储存至一缓存器；以临时数据更新储存在缓存器中的读取数据；以 使用者数据更新储存在缓存器中的临时数据；以及，输出使用者数据。

本发明又提出一种存储器装置，包括一存储器、一错误校正电路以及 一操作电路。错误校正电路电性连接至存储器。操作电路用以致使错误校 正电路根据尚未写入至存储器的一使用者数据而产生一第一错误校正码， 并用以致使错误校正电路根据来自存储器的一读取数据而产生一第二错 误校正码。

基于上述，本发明是在使用者数据存入存储器装置之前与之后，分别 产生第一错误校正码与第二错误校正码。以此，本发明将可利用第一错误 校正码与第二错误校正码对使用者数据进行阶段式的校正，进而致使本发 明可以利用较低可更正位数的第一错误校正码与第二错误校正码，即可达 到良好的更正能力。换而言之，与现有技术相较之下，本发明将可降低硬 件设施的复杂度。