[发明专利]应用于操作模式与深度省电模式的低电压源导通开关无效
| 申请号： | 200910151434.0 | 申请日： | 2009-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101610079A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 张延安;袁德铭 | 申请（专利权）人： | 钰创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁 挥;祁建国 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应用于 操作 模式 深度 电压 源导通 开关 | ||
1.一种应用于操作模式与深度省电模式间切换的低电压源导通开关，用于操作模式时导通一低电压源，其特征在于，该低电压源导通开关包含：
一第一栅极控制器，用来根据一控制信号，产生低于一地端的一第一栅级控制信号；及
一第一开关，包含：
一第一端，耦接于该低电压源；
一控制端，耦接于该第一栅极控制器，用来接收该第一栅极控制信号；及
一第二端，于该第一开关接收到该第一栅极控制信号时，耦接于该第一开关的该第一端，以输出该低电压源。
2.根据权利要求1所述的低电压源导通开关，其特征在于，该第一开关另包含一第三端，耦接于该第一开关的该第一端，用以消除本体效应。
3.根据权利要求1所述的低电压源导通开关，其特征在于，该第一开关为一P型金属氧化物半导体晶体管。
4.根据权利要求1所述的低电压源导通开关，其特征在于，另包含：
一第二栅极控制器，用来根据该控制信号，产生高于该低电压源的电压的一第二栅极控制信号；及
一第二开关，包含：
一第二端，耦接于该低电压源；
一控制端，耦接于该第二栅极控制器，用来接收该第二栅极控制信号；及
一第一端，于该第二开关接收到该第二栅极控制信号时，耦接于该第二开关的该第二端，以输出该低电压源。
5.根据权利要求4所述的低电压源导通开关，其特征在于，该第二开关另包含一第三端，耦接于该第二开关的该第一端，用以消除本体效应。
6.根据权利要求4所述的低电压源导通开关，其特征在于，该第二开关为一N型金属氧化物半导体晶体管。
7.根据权利要求1所述的低电压源导通开关，其特征在于，该低电压源的电压约为1.8伏特左右或其以下。
8.一种应用于操作模式与深度省电模式间切换的低电压源导通开关，用于操作模式时导通一低电源，其特征在于，该低电压源导通开关包含：
一第一栅极控制器，用来根据一控制信号，产生高于该低电压源的电压的一第一栅极控制信号；及
一第一开关，包含：
一第二端，耦接于该低电压源；
一控制端，耦接于该第一栅极控制器，用来接收该第一栅极控制信号；及
一第一端，于该第一开关接收到该第一栅极控制信号时，耦接于该第一开关的该第一端，以输出该低电压源。
9.根据权利要求8所述的低电压源导通开关，其特征在于，该第一开关另包含一第三端，耦接于该第一开关的该第一端，用以消除本体效应。
10.根据权利要求8所述的低电压源导通开关，其特征在于，该第一开关为一N型金属氧化物半导体晶体管。
11.根据权利要求8所述的低电压源导通开关，其特征在于，该低电压源的电压约为1.8伏特左右或其以下。
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