[发明专利]启动电路及具有启动电路的带隙电压基准电路有效
申请号: | 200910151144.6 | 申请日: | 2009-07-23 |
公开(公告)号: | CN101963821A | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | 高彬 | 申请(专利权)人: | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
主分类号: | G05F3/24 | 分类号: | G05F3/24;H03K17/687 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;杨静 |
地址: | 215021 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 启动 电路 具有 电压 基准 | ||
1.一种具有启动电路的带隙电压基准电路,所述带隙电压基准电路包括由运算放大器以及第一PMOS管和第二PMOS管构成的负反馈电路,所述负反馈电路对包括具有正温度系数和负温度系数特性的器件的两个支路的电压进行负反馈,其特征在于所述启动电路包括:施密特触发器、反相器和NMOS管,
其中,所述施密特触发器的输入端连接到所述第一PMOS管和第二PMOS管的栅极,所述施密特触发器的输出端连接到反相器的输入端,所述反相器的输出端连接到所述NMOS管的栅极,所述NMOS管的源极接地,所述NMOS管的漏极连接到所述施密特触发器的输入端,
其中,所述施密特触发器的正向阈值电压大于所述带隙电压基准电路正常工作后所述第一PMOS管和第二PMOS管的栅极电压。
2.根据权利要求1所述的带隙电压基准电路,其中,所述两个支路中的第一支路包括第一二极管,所述两个支路中的第二支路包括第二二极管和第一电阻器,
其中,运算放大器的输出端连接到第一PMOS管和第二PMOS管的栅极,第一PMOS管和第二PMOS管的源极连接到电源,第一PMOS管的漏极连接到运算放大器的第一输入端,第二PMOS管的漏极连接到运算放大器的第二输入端,第一PMOS管的漏极连接到第一二极管的输入端,第二PMOS管的漏极连接到第二二极管的输入端,第一二极管和第二二极管的输出端接地。
3.根据权利要求2所述的带隙电压基准电路,还包括第二电阻器,第一PMOS管的漏极经第二电阻器连接到运算放大器的第一输入端。
4.根据权利要求2或3所述的带隙电压基准电路,还包括第三电阻器,第二PMOS管的漏极经第三电阻器连接到运算放大器的第二输入端。
5.根据权利要求2所述的带隙电压基准电路,其中,第一二极管的输入端经第一电阻器连接到运算放大器的第一输入端。
6.根据权利要求2所述的带隙电压基准电路,其中,带隙电压基准电路的输出端为所述第一PMOS管的漏极。
7.一种用于带隙电压基准电路的启动电路,所述带隙电压基准电路包括由运算放大器以及两个PMOS管构成的负反馈电路,其特征在于包括:施密特触发器、反相器和NMOS管,
其中,所述施密特触发器的输入端连接到所述两个PMOS管的栅极,所述施密特触发器的输出端连接到反相器的输入端,所述反相器的输出端连接到所述NMOS管的栅极,所述NMOS管的源极接地,漏极连接到所述施密特触发器的输入端,
其中,所述施密特触发器的正向阈值电压大于所述带隙电压基准电路正常工作后所述两个PMOS管的栅极电压。
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