[发明专利]信息存储装置以及操作该装置的方法无效
| 申请号: | 200910150851.3 | 申请日: | 2009-06-23 |
| 公开(公告)号: | CN101615423A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
| 发明(设计)人: | 李成喆;徐顺爱;曹永真;皮雄焕;裴智莹 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G11C11/15 | 分类号: | G11C11/15 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;罗延红 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 信息 存储 装置 以及 操作 方法 | ||
1、一种信息存储装置,包括:
磁层,具有多个磁畴区以及置于磁畴区之间的磁畴壁;
第一单元,布置在第一区域以将信息记录在第一区域,所述第一区域是多个磁畴区中的一个;
第二单元,连接到第一单元以感应磁场,从而将信息记录在第一区域。
2.如权利要求1所述的装置,其中,通过第二单元将电流施加到第一单元,通过电流流过第二单元来产生磁场。
3.如权利要求1所述的装置,其中,第一单元通过使用旋转转移力矩来记录信息。
4.如权利要求3所述的装置,其中第一单元包括:
第一钉扎层,布置在第一区域的下表面和上表面中的一个上;
第一离层,置于第一钉扎层和第一区域之间。
5、如权利要求4所述的装置,其中第一单元还包括:
第二钉扎层,具有与第一钉扎层的磁化方向相反的磁化方向,第二钉扎层布置在第一区域的下表面和上表面中的另一个上;
第二离层,置于第二钉扎层和第一区域之间。
6、如权利要求4所述的装置,其中第一单元还包括:
第一电极层,布置在第一区域的下表面和上表面中的另一个上;
阻层,其电阻高于磁层的电阻,所述阻层置于电极层和第一区域之间。
7.如权利要求1所述的装置,其中,第二单元包括连接到第一单元的至少一个导线。
8、如权利要求7所述的装置,其中,第一单元包括下部单元和上部单元,分别布置在第一区域的下表面和上表面,下部单元和上部单元中的任意一个连接到第一导线,下部单元和上部单元中的另一个连接到第二导线,第一导线和第二导线中的至少一个包括在第二单元中。
9、如权利要求8所述的装置,其中,第一导线包括从第一单元延伸的第一部分,第一导线的第一部分布置在与磁层平行的第一平面上。
10、如权利要求9所述的装置,其中,第二导线包括从第一单元延伸的第一部分,第二导线的第一部分布置在与磁层平行的第二平面上。
11、如权利要求10所述的装置,其中,第一导线的第一部分和第二导线的第一部分以相同方向延伸。
12、如权利要求9所述的装置,其中,第一导线还包括从第一部分延伸且在第一平面上围绕第一单元的至少一部分的第二部分。
13、如权利要求11所述的装置,其中,第一导线还包括从第一导线的第一部分延伸且在第一平面上围绕第一单元的至少一部分的第二部分。
14、如权利要求13所述的装置,其中,第二导线还包括从第二导线的第一部分延伸且在第二平面上围绕第一单元的至少一部分的第二部分。
15、如权利要求14所述的装置,其中,第一导线的第二部分延伸的方向与第二导线的第二部分延伸的方向彼此相反。
16、如权利要求8所述的装置,还包括:
第一线,与磁层平行;
第二线和第三线,与第一线交叉;
切换装置,布置在第一线和第二线的交叉点;
其中,切换装置和第三线分别连接到第一导线和第二导线。
17、如权利要求16所述的装置,还包括分别连接到磁层的一端和另一端的第四线和第五线。
18、如权利要求17所述的装置,还包括另一切换装置,布置在磁层的一端和第四线之间以及磁层的另一端和第五线之间中的至少一个。
19、如权利要求18所述的装置,还包括连接到与第四线和第五线交叉的所述另一切换单元的第六线。
20、如权利要求1所述的装置,其中,第一单元还包括信息再现功能。
21、如权利要求1所述的装置,其中,第一单元布置在磁层的中心部分。
22、如权利要求1所述的装置,其中,磁层、第一单元、第一导线和第二导线包括在一个单元存储区域中,信息存储装置包括与所述单元存储区域等同的多个单元存储区域。
23、一种操作权利要求1所述的信息存储装置的方法,所述方法包括:
通过将写电流通过第二单元施加到第一单元将信息记录在第一区域中。
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