[发明专利]氮化物半导体发光元件

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光元件，其包括：

基板；

形成于上述基板上的n型氮化物半导体层、活性层及p型氮化物半导体层；

形成于上述p型氮化物半导体层上的透光电极；

形成于上述p型氮化物半导体层上的用于与外部电路连接的p型焊盘电极；以及

形成于去除上述p型氮化物半导体层和上述活性层的一部分而露出的上述n型氮化物半导体层上的用于与外部电路连接的n型焊盘电极，

所述氮化物半导体发光元件的特征在于：

关于在与上述基板的主面垂直的面内，上述p型氮化物半导体层和上述活性层的端面与上述基板的主面之间所形成的角度即锥角，

当观测上述氮化物半导体发光元件的上述p型氮化物半导体层的面内的亮度分布时，发光强度最弱区域的上述锥角小于发光强度最强区域的上述锥角。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于：

当观测氮化物半导体发光元件的上述p型氮化物半导体层的面内的发光强度分布时，在该部分的亮度是上述p型氮化物半导体层的面整体的平均亮度以下的区域中，上述p型氮化物半导体层和上述活性层具有上窄下宽形状的角部，

上述角部的上述锥角小于上述发光最强区域的锥角。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于：

上述p型氮化物半导体层和上述活性层，在从基板上面看，比正交于连接上述n型焊盘电极和上述p型焊盘电极中心的中心线的上述n型焊盘电极的切线当中的与上述p型焊盘接近的一方的切线更远离p型焊盘电极的区域具有上窄下宽形状的角部，

上述上窄下宽形状的角部的上述锥角小于上述发光强度最强区域的上述锥角。

4.根据权利要求2或3所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于：

上述上窄下宽形状的角部的锥角小于或等于70°。

5.根据权利要求1～3中任意一项所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于：

在基板的宽度方向，与上述p型焊盘电极相连的p型氮化物半导体层的宽度X和上述p型焊盘电极的最大宽度R_P和上述n型焊盘电极的最大宽度R_n，满足X＜2R_P且X＜2R_n的关系。

6.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于：

在与上述基板主面正交的面内，上述基板的除上下面以外的侧面的半导体层侧的区域正交于基板主面，而上述侧面的基板背面侧的区域相对于基板主面的正交面倾斜。

7.根据权利要求6所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于：

在上述透光电极和元件外缘之间形成有多个由氮化物半导体构成的凸部。

8.根据权利要求6或7所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于：

上述侧面的上述半导体层侧的区域的表面粗糙度小于上述侧面的上述基板背面侧的区域的表面粗糙度。

9.一种氮化物半导体发光元件，其包括：

n型氮化物半导体层；

形成于上述n型氮化物半导体层上的活性层；

形成于上述活性层上的p型氮化物半导体层；

形成于上述p型氮化物半导体层上面的透光电极和p型焊盘电极；以及

形成于上述n型氮化物半导体层下面的用于与外部电路连接的n型焊盘电极，

所述氮化物半导体发光元件的特征在于：

关于在与上述基板的主面垂直的面内，上述透光电极的端面与上述基板的主面之间所形成的角度即锥角，

当观测上述氮化物半导体发光元件的上述p型氮化物半导体层的面内的亮度分布时，发光强度最弱区域的上述锥角小于发光强度最强区域的上述锥角。

10.根据权利要求9所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于：

当观测氮化物半导体发光元件的p型氮化物半导体层的面内的发光强度分布时，在该部分的亮度是p型氮化物半导体层的面整体的平均亮度以下的区域中，上述透光电极具有上窄下宽形状的角部。