[发明专利]具有电磁屏蔽源极板的非易失性存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

存储器阵列，包括位于衬底中的并排位置处的多串非易失性存储器单元，所述多串非易失性存储器单元包括一排接地选择晶体管；

多个位线，分别电气地耦合到所述多串非易失性存储器单元之一；以及

源极板，电气地耦合到所述一排接地选择晶体管的源极区，所述源极板在与所述多串非易失性存储器单元中的每一个相关的多个字线上二维延伸。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述源极板作为非间断层横跨多排所述多串非易失性存储器单元而延伸。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，所述源极板在所述多个位线与所述多串非易失性存储器单元之间延伸。

4.如权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，所述多串非易失性存储器单元中的每一个都包括在所述衬底中具有漏极区的串选择晶体管；并且，其中，所述多个位线中的每一个都电气地耦合到串选择晶体管的相应漏极区。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多串非易失性存储器单元中的每一个都包括在所述衬底中具有漏极区的串选择晶体管；并且，其中，所述多个位线中的每一个都电气地耦合到串选择晶体管的相应漏极区。

6.如权利要求4所述的非易失性存储器件，还包括通过源极线栓塞而耦合到所述源极板的源极线；并且，其中，所述源极线与所述多个位线共面。

7.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多串非易失性存储器单元中的每一个都包括在所述衬底中具有漏极区的串选择晶体管；并且，其中，所述多个位线中的每一个都通过位线栓塞而电气地耦合到串选择晶体管的相应漏极区。

8.如权利要求7所述的非易失性存储器件，还包括包围所述多个位线栓塞中的每一个的扩散阻挡层；并且，其中，所述扩散阻挡层与所述源极板共面。

9.如权利要求8所述的非易失性存储器件，其中，所述扩散阻挡层包括选自由氮化硅和氮氧化硅组成的组的电绝缘材料。

10.一种集成电路存储器件，包括：

非易失性存储器阵列，包括多个NAND型串的非易失性存储器单元，多个NAND型串的所述非易失性存储器单元在其中具有各自的接地选择晶体管和串选择晶体管；

源极板，在所述多个NAND型串的非易失性存储器单元上延伸，所述源极板电气地耦合到所述每个接地选择晶体管的源极端子；以及

多个位线，在所述源极板上延伸，所述多个位线电气地耦合到所述每个串选择晶体管的漏极端子。

11.如权利要求10所述的存储器件，还包括：

第一材料的第一层间绝缘层，在所述源极板与所述多个NAND型串的非易失性存储器单元之间延伸；

第二材料的电绝缘扩散阻挡层，在所述第一层间绝缘层上；以及

多个位线栓塞，电气地连接到所述多个位线，所述多个位线栓塞延伸穿过所述电绝缘扩散阻挡层。

12.如权利要求11所述的存储器件，其中，所述电绝缘扩散阻挡层的上表面与所述源极板的上表面共面。

13.如权利要求11所述的存储器件，还包括与所述多个位线共面的源极线和将所述源极板电气地连接到所述源极线的导电源极线栓塞。

14.如权利要求10所述的存储器件，其中，所述源极板被配置为连续金属层，该连续金属层用于在存储器编程操作期间为所述非易失性存储器单元电磁地屏蔽所述多个位线上的电压的波动。

15.如权利要求11所述的存储器件，其中，所述电绝缘扩散阻挡层包括选自由氮化硅和氮氧化硅组成的组的材料。