[发明专利]具有内部电压发生电路的半导体集成电路无效

专利信息
申请号: 200910145634.5 申请日: 2009-05-27
公开(公告)号: CN101593546A 公开(公告)日: 2009-12-02
发明(设计)人: 冈本利治 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14;G09G3/36
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 具有 内部 电压 发生 电路 半导体 集成电路
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路装置,并且更具体地说涉及一种具有内部电压发生电路的半导体集成电路装置及其控制方法。

背景技术

作为半导体集成电路装置,已知用于驱动液晶显示面板(在下文中,被称为LCD面板)的液晶显示驱动器IC(在下文中,被称为LCD驱动器)。LCD驱动器要求被安置在LCD面板的外围中。为此,与通常设想的半导体集成电路的芯片相比较,LCD驱动器的芯片要求具有又长又薄的长宽比不均衡的形状。

LCD驱动器包括逻辑电路、高压驱动器电路、用于生成内部电压的内部电源电路、以及RAM(随机访问存储器)电路。RAM电路通过使用内部电压短暂地保持像素控制信息以控制LCD面板。逻辑电路、高压驱动器电路、内部电源电路、以及RAM电路被安置在芯片的安置区域中。

相对于LCD驱动器的芯片面积(布局区域),其中安排了RAM电路的区域的占用率较高。RAM电路通常按容量单位划分为多个RAM电路块,为此考虑了RAM本身的性能和成本之间的权衡。所述多个RAM电路块被连接至彼此不同的电源节点(稍后将会进行描述)。所述多个RAM电路中的每一个包括具有RAM单元的单元阵列矩阵、基于地址选择RAM单元的地址电路、以及从所选择的RAM单元中读取数据的读出放大电路。当设计LCD驱动器时,由于RAM电路被划分为所述多个RAM电路块,因此基于LCD驱动器要求的RAM容量,能够容易地选择被安装在LCD驱动器上的RAM电路块的数量。

当RAM电路块被安装在LCD驱动器中时,存在以下问题。

RAM电路块是其面积相对于LCD驱动器的芯片尺寸较大的电路块。LCD驱动器的芯片形状被限制为又长又薄。在此种限制下,由于没有那么多的能够安排所述多个RAM电路块的候选区域,所以所述多个RAM电路块通常在芯片上被排列成直线。因此,用于将内部电源电压供给这些RAM电路块的内部电源布线也很长。为此,内部电源布线的寄生电阻增加。因此,这导致出现当操作RAM电路块时被供给RAM电路块的内部电源电压的不可忽视的下降的问题。

RAM电路块的访问速度与被供给它的RAM电路块的内部电源电压成比例。当内部电源电压较高时,访问速度较快。另一方面,当内部电源电压较低时,访问速度较慢。

在包括所述多个RAM电路块的LCD驱动器中,当这些RAM电路块的访问速度差异较大时,这导致出现问题,其中不能以正确的时序操作用于捕获来自这些RAM电路块的输出数据的逻辑电路。为此,供给各个RAM电路块的内部电源电压被要求设计为大约相等。

同样,由于所述多个LCD驱动器被安排在LCD驱动器的外围,所以从整个液晶显示系统的低成本和低功率观点,各个LCD驱动器的芯片尺寸和操作电流被要求设计得尽可能小。

在下面将会描述在日本专利申请特开JP-P 2006-318380A(相应的美国专利申请US2006259800(A1))中描述的技术。

在JP-P 2006-318380A中描述的电路系统包括多个电路单元、用于提供多个不同电压的电源、多个电源选择电路、以及控制电路。对应于多个电路单元提供所述多个电源选择电路。所述多个电源选择电路从所述多个不同电压中选择被供给各个电路单元的电压。基于所述多个电路单元各自的操作状态,控制电路控制所述多个电源选择电路从而选择被供给各个电路单元的电压。每个电路单元使用由电源选择电路选择的电压作为由内部电源供给的电压。

在下面将会描述在日本专利特开JP-A-Heisei,05-266224中描述的技术。

在JP-A-Heisei,05-266224中描述的半导体集成电路包括减少外部电源电压的电压减少电路,和多个功能模块,该多个功能模块的电压是通过该电压减少电路生成的电压。为了缓和在电源布线的寄生电阻中生成的不想要的电压减少,该半导体集成电路包括用于功能模块中的每一个的专用的电压减少电路。

我们已经发现了以下事实。

如上所述,由于LCD驱动器具有芯片形状的限制(又长又薄),因此多个RAM电路块被安排成直线,并且用于将内部电源电压供给这些RAM电路块的内部电源布线很长。内部电源布线的寄生电阻取决于内部电源电路和RAM电路块中的每一个之间的距离。当某RAM电路块被安排在远离内部电源电路的位置时,由RAM电路块的操作电流和内部电源布线的寄生电阻,使被供给所述RAM电路块的内部电源电压下降。因此,引起了RAM电路块的访问速度被恶化的问题。

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