[发明专利]石英部件的洗净方法和洗净系统

说明书

技术领域

本发明涉及除去附着在半导体处理用的立式热处理装置的选自反应管、晶舟、保温筒中的石英部件上的金属污染物质的方法和系统。在此，所谓半导体处理意味着，通过在晶片或LCD(Liquid CrystalDisplay：液晶显示器)那样的FPD(Flat Panel Display：平板显示器)用的玻璃基板等被处理基板上以规定图案形成半导体层、绝缘层、导电层等，用于在该被处理基板上制造半导体设备或包括与半导体设备连接的配线、电极等构造物而实施的各种处理。

背景技术

随着半导体装置的高集成化，装置图案逐渐微细化，因而对附着在半导体晶片上的污染物质量的许可范围也越来越严格。因此，为除去附着在石英部件上的污染物质，例如金属物污染物质，在使用半导体处理用的立式热处理装置之前，对由石英构成的反应管、晶舟、保温筒等石英部件进行石英部件的洗净。

为了洗净石英部件，例如在使用用纯水(DIW)稀释氢氟酸(HF)得到的稀氢氟酸(DHF)进行洗净之后，进行用纯水洗净的HDF洗净。并且，在日本特开2006-188419号公报中，提出了一种石英玻璃夹具或部件的洗净方法，该洗净方法在酸洗净后，在30～70℃的纯水中进行超声波洗净，除去金属污染物质。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够更可靠地除去附着在选自半导体处理用的立式热处理装置的反应管、晶舟、保温筒中的石英部件上的金属污染物质的方法和系统。

本发明的第一方面提供一种除去金属污染物质的方法，该金属污染物质附着在选自半导体处理用的立式热处理装置的反应管、晶舟、保温筒中的石英部件上，其特征在于，包括：得到未安装于所述立式热处理装置的状态的所述石英部件的工序；接着利用稀氢氟酸对所述石英部件进行洗净的稀氢氟酸洗净工序；接着利用纯水对所述石英部件进行洗净的第一纯水洗净工序；接着利用盐酸对所述石英部件进行洗净的盐酸洗净工序；和然后利用纯水对所述石英部件进行洗净的第二纯水洗净工序。

本发明的第二方面提供一种除去金属污染物质的系统，该金属污染物质附着在选自半导体处理用的立式热处理装置的反应管、晶舟、保温筒中的石英部件上，其特征在于，包括：利用稀氢氟酸对所述石英部件进行洗净的稀氢氟酸洗净部；利用盐酸对所述石英部件进行洗净的盐酸洗净部；利用纯水对所述石英部件进行洗净的纯水洗净部；和控制所述系统的动作的控制部。对所述控制部进行预设定，使得实施包括下述工序的方法：在所述稀氢氟酸洗净部中，利用稀氢氟酸对未安装于所述立式热处理装置的状态的所述石英部件进行洗净的稀氢氟酸洗净工序；接着在所述纯水洗净部中，利用纯水对所述石英部件进行洗净的第一纯水洗净工序；接着在所述盐酸洗净部中，利用盐酸对所述石英部件进行洗净的盐酸洗净工序；和然后在所述纯水洗净部中，利用纯水对所述石英部件进行洗净的第二纯水洗净工序。

本发明的其他目的和优点将在以下说明中阐明、通过以下说明部分变得明显、或可通过对本发明的实施而获知。本发明的目的和优点可通过以下具体指出的手段及组合而实现和获得。

附图说明

结合在本说明书中且构成其一部分的附图，图解显示了本发明目前的优选实施例，与以上给出的总体说明和以下给出的优选实施例的详细说明一起，用于解释本发明的本质。

图1为表示本发明实施方式的用于除去附着在石英部件上的金属污染物质的洗净系统的示意图。

图2为表示本发明实施方式的用于除去附着在石英部件上的金属污染物质的洗净方法的顺序的流程图。

图3为表示上述实施方式的变形例的用于除去附着在石英部件上的金属污染物质的洗净方法的顺序的流程图。

图4A、B、C、D、E为实验中使用的实施例PE1、PE2和比较例CE1、CE2、CE3的各处理顺序的图。

图5为表示通过实验得到的实施例PE1、PE2和比较例CE1、CE2、CE3的最终工序的排出液中所含的铝的量的图表。

图6为表示使用本发明实施方式的洗净方法的作为处理对象的石英部件(反应管、晶舟、保温筒等)的半导体处理用的立式热处理装置(立式成膜装置)的示意图。

具体实施方式