[发明专利]形成半导体薄膜的方法及半导体薄膜检查装置

权利要求书

1.一种形成半导体薄膜的方法，其包括以下步骤：

在基板上形成非晶半导体薄膜；

通过对所述非晶半导体薄膜照射激光以对所述非晶半导体薄膜有选择地进行加热处理，从而使被所述激光照射的区域中的所述非晶半导体薄膜结晶，由此在每个元件区域中局部地形成结晶半导体薄膜；以及

检查所述结晶半导体薄膜的结晶度，

其中，所述检查的步骤包括如下步骤：

通过对所述结晶半导体薄膜和所述非晶半导体薄膜分别照射光来确定结晶区域的亮度与未结晶区域的亮度之间的对比度，以及

根据所确定的对比度、在确定所述对比度的步骤中的光的照射强度以及从所述结晶半导体薄膜中得到的电气特性之间的相互关系，对所述结晶半导体薄膜进行筛选。

2.如权利要求1所述的形成半导体薄膜的方法，其中，通过使用所述照射强度与所述对比度之间的γ值＝1的γ特性，来对所述结晶半导体薄膜进行筛选。

3.如权利要求1所述的形成半导体薄膜的方法，其中，对所述照射强度与所述对比度之间的γ特性进行校正，以使γ值＝1，并随后通过使用所述已校正的γ特性对所述结晶半导体薄膜进行筛选。

4.如权利要求1所述的形成半导体薄膜的方法，其中，在所述确定对比度的步骤中，根据所照射的光得到所述结晶半导体薄膜与所述非晶半导体薄膜的拍摄图像，并随后根据所述拍摄图像确定所述对比度。

5.如权利要求4所述的形成半导体薄膜的方法，其中，根据所照射的光的透射光得到所述结晶半导体薄膜与所述非晶半导体薄膜的透射图像，并随后根据所述透射图像确定所述对比度。

6.如权利要求4所述的形成半导体薄膜的方法，其中，根据所照射的光的反射光得到所述结晶半导体薄膜与所述非晶半导体薄膜的反射图像，并随后根据所述反射图像确定所述对比度。

7.如权利要求4到6之一所述的形成半导体薄膜的方法，其中，

在所述基板或安装所述基板的台上的预定位置布置用于相对于所述拍摄图像得到基准图像的基准水平测量区域以及当得到所述拍摄图像和所述基准图像时用于得到对应于偏置成分的零水平图像的零水平测量区域，并且

在所述确定对比度的步骤中，通过使用下述表达式对所得到的拍摄图像的亮度分布进行校正，并随后确定所述对比度；

(校正后的拍摄图像的亮度分布)＝{(校正前的拍摄图像的亮度分布-零水平图像的亮度分布)/(基准图像的亮度分布-零水平图像的亮度分布)}×{(基准图像的亮度分布-零水平图像的亮度分布)的平均值}。

8.如权利要求1所述的形成半导体薄膜的方法，其中，在所述确定对比度的步骤中，所照射的光被分成两个或更多个光束，并对所述结晶区域的亮度与所述未结晶区域的亮度进行差动放大，并随后确定所述对比度。

9.如权利要求1所述的形成半导体薄膜的方法，其中，在所述确定对比度的步骤中，使用白光作为所照射的光。

10.如权利要求1所述的形成半导体薄膜的方法，其中，在所述确定对比度的步骤中，使用绿光作为所照射的光。

11.如权利要求1所述的形成半导体薄膜的方法，其中，在所述确定对比度的步骤中，使用波长短于蓝光波长的光作为所照射的光。

12.如权利要求1所述的形成半导体薄膜的方法，其中，在所述形成结晶半导体薄膜的步骤中，将所述激光照射到光吸收层，从而间接地对所述非晶半导体薄膜进行加热处理。

13.如权利要求1所述的形成半导体薄膜的方法，其中，在所述形成结晶半导体薄膜的步骤中，通过使用激光二极管光源照射所述激光。

14.如权利要求1所述的形成半导体薄膜的方法，其中，所述结晶半导体薄膜是用于形成薄膜晶体管的膜。

15.如权利要求1所述的形成半导体薄膜的方法，其中，所述结晶半导体薄膜与所述非晶半导体薄膜是硅薄膜。

16.如权利要求15所述的形成半导体薄膜的方法，其中，所述结晶半导体薄膜是多晶硅薄膜或微晶硅薄膜。