[发明专利]有机发光器件有效
申请号: | 200910143360.6 | 申请日: | 2009-05-22 |
公开(公告)号: | CN101894916A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 徐湘伦;苏信远 | 申请(专利权)人: | 统宝光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/52 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 宋莉 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 器件 | ||
1.一种有机发光器件,包括:
下基板;
下电极,其位于该下基板上;
有机发光单元,其位于该下电极上;
上电极,其位于该有机发光单元上;
光增强层,其位于该上电极上;以及
上基板,其位于该光增强层上;
其中该光增强层的折射率大于该上基板的折射率,且该光增强层的折射率为2至3。
2.权利要求1所述的有机发光器件,其中该下电极的材料为反射性材料,包括Ag、Al、或上述材料的合金;该有机发光单元包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层。
3.权利要求1所述的有机发光器件,其中该光增强层包括ZnS、ZnSe、NaCl、TiO2、Nb2O5、MgO、TiO、ZrO2、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或氧化铝。
4.权利要求1所述的有机发光器件,其还包括位于该上电极上的保护层;以及
位于该保护层与该光增强层之间的有机隔离层;
其中该光增强层的折射率大于该保护层的折射率。
5.权利要求4所述的有机发光器件,其中该保护层的折射率小于2,该保护层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或氧化铝,且该有机隔离层包括环氧树脂或聚丙烯酸酯。
6.权利要求1所述的有机发光器件,其还包括位于该上电极与该光增强层之间的保护层;以及
位于该光增强层与该上基板之间的有机隔离层;
其中该光增强层的折射率大于该保护层的折射率。
7.权利要求1所述的有机发光器件,其中该有机发光单元发射波长为450nm至480nm的蓝光,且该光增强层的厚度按下列公式计算:
T=(55-20×(n-2.1))+(110-50×(n-2.1))×m
其中T为该光增强层的厚度(nm);
n为该光增强层的折射率;以及
0<m≤l 00。
8.权利要求1所述的有机发光器件,其中该有机发光单元发射波长为510nm至540nm的绿光,且该光增强层的厚度按下列公式计算:
T=(65-20×(n-2.1))+(125-50×(n-2.1))×m
其中T为该光增强层的厚度(nm);
n为该光增强层的折射率;以及
0<m≤100。
9.权利要求1所述的有机发光器件,其中该有机发光单元发射波长为590nm至630nm的红光,且该光增强层的厚度按下列公式计算:
T=(25-20×(n-2.1))+(100+60×(n-2.1))×m
其中T为该光增强层的厚度(nm);
n为该光增强层的折射率;以及
0<m≤100。
10.权利要求1所述的有机发光器件,其中该有机发光单元发射波长为440nm至660nm的白光,且该光增强层的厚度按下列公式计算:
T=100×m+(130-100×(n-2.1))×X
其中T为该光增强层的厚度(nm);
n为该光增强层的折射率;
0<m≤10;以及
0<X≤100。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择