[发明专利]真空处理装置

说明书

本申请是申请号为200610001041.8的发明专利的分案申请(申请号 为200710188367.0)的再次分案申请。本分案申请是依照审查员对于分 案申请(申请号为200710188367.0)的第一次审查意见通知书中关于单 一性的缺陷而提出的。

原案申请日：2006年1月17日。

原案申请号：200610001041.8。

原案发明名称：真空处理装置。

分案提交日：2007年11月20日。

分案申请号：200710188367.0。

分案发明名称：真空处理装置。

技术领域

本发明涉及一种真空处理装置，尤其涉及用于在基片上进行蚀刻处 理或喷镀处理的真空处理装置，例如用于液晶显示屏(LCD)面板的玻璃 上，半导体晶片上，等等。

背景技术

所述真空处理装置是一种通过在真空状态下使用物理或化学反应， 例如等离子体反应等在基片上进行蚀刻处理或喷镀处理的装置，例如用 于液晶显示屏面板的玻璃上，半导体晶片上。

所述真空处理装置包括一真空处理腔，用于在基片上进行蚀刻处理 或喷镀处理；和一转移腔，用于将基片从负载锁定腔转移到真空处理腔 以及将基片从真空处理腔转移到负载锁定腔。

同时，上述的腔室，特别是所述真空处理装置的真空处理腔需要打 开进行保养或维修。

图1是传统的真空处理装置的透视图，其上盖是可开启的。

如图1所示，在真空处理装置中，作为主要处理小面积基片的半导 体处理装置，上盖3是从腔体1通过铰链5和气缸7打开的。

但是，如图1所示，其很难完全开启上盖3并在真空处理装置的腔 体1中替换安装的内部器件。

特别是，由于在半导体处理装置中用于处理大面积基片所安装的内 部器件十分沉重，要使用起重机替换内部器件。然而所述的内部器件不 能悬挂在起重机上，因为图1所示的半导体处理装置的上盖3不能翻转。

尽管通过扩大半导体处理装置，图1中的半导体处理装置上盖能以 180°角翻转，但缺陷是半导体处理装置的门器件也被扩大，并且半导体 处理装置的打开状态不稳定。

图2至图4表示传统真空处理装置另一例子上盖打开过程的透视图。

图2中的真空处理装置，在韩国已公布专利文献NO.10-2001-0067439 中公开，其通过提供一旋转提升设备15提升上盖13从腔体11到一预定 的高度。并且如图3所示，通过使用一移动设备17将上盖13移动到一 可旋转位置。然后如图4所示，通过使用旋转提升设备15打开上盖13。 在图2至图4中，移动设备17包括第一移动设备17a，和第二移动设备 17b。

同时，由于传统真空处理装置中旋转提升设备和移动设备是组合而 成，很难安装旋转提升设备和移动设备。

另外，尽管对高度在确定范围的传统处理装置安装门设备没有较大 困难，但在小高度的上盖上直接安装门设备却非常困难。

发明内容

为了解决上述问题，本发明的目的是提供一种真空处理装置，通过 一升降单元从下盖分离出上盖，一水平移动单元来水平移动和旋转上盖， 使真空处理装置的安装变得容易。

本发明的另一目的是提供一真空处理装置，通过从真空处理腔分隔 出水平移动单元和升降单元，来防止由于上盖水平移动引起的震动传播 到下盖。

本发明的另一目的是提供一真空处理装置，通过垂直于上盖和用于 从下盖分离上盖的转移腔的连接方向上移动上盖，使真空处理装置的安 装更有效的利用空间。

为了实现上述目的，本发明提供一真空处理装置，包括一上盖和一 下盖，上盖和下盖之间的连接是可分离的来组成真空处理空间；一对下 部水平移动单元各自安装在下盖的各侧；一对上部水平移动单元，所述 各上部水平移动单元在各下部移动单元之上可旋转的和上盖连接，并且 在水平方向上移动从下盖分开的上盖；升降单元通过下部水平移动单元 支撑并安装在其上，所述升降单元从下盖分离上盖或者通过提升或降低 下部水平移动单元连接上盖和下盖。