[发明专利]荧光体及其制造方法及使用荧光体的发光装置和显示装置有效

专利信息
申请号: 200910142987.X 申请日: 2009-05-20
公开(公告)号: CN101586025A 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: 五十岚崇裕;楠木常夫 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: C09K11/59 分类号: C09K11/59;H01L33/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余 刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 荧光 及其 制造 方法 使用 发光 装置 显示装置
【权利要求书】:

1.一种荧光体,包括:

作为基材的(Sr1-x,Bax)3SiO5,其中0.62≥x≥0.2,以及

作为活化剂的铕(Eu),

其中,基于Sr、Ba和Eu的组成比将发光中心波长控制 为606nm以上,并且最大峰值波长为610nm。

2.根据权利要求1所述的荧光体,其中,0.5≥x。

3.根据权利要求1所述的荧光体,其中,所述活化剂的浓度为2 mol%~8mol%。

4.根据权利要求1所述的荧光体,其中,所述活化剂的浓度为6 mol%~8mol%。

5.根据权利要求1所述的荧光体,当用蓝光激发时所述荧光体发 射荧光。

6.根据权利要求1所述的荧光体,所述荧光体通过在1300℃~ 1700℃的温度下烧制分别包括Sr、Ba、Si和Eu的化合物的 混合物而合成,所制备的所述混合物中Sr、Ba和Si的摩尔比 为Sr∶Ba∶Si=3(1-x)∶3x∶1,其中0.62≥x≥0.2,并且Eu的摩 尔数与Sr、Ba和Eu的总摩尔数的比率为0.02~0.08。

7.一种荧光体制造方法,所述荧光体包括作为基材的(Sr1-x, Bax)3SiO5和作为活化剂的铕(Eu),该方法包括以下步骤:

制备分别包括Sr、Ba、Si和Eu的化合物的混合物,使得 Sr、Ba和Si的摩尔比为Sr∶Ba∶Si=3(1-x)∶3x∶1,其中0.62≥x ≥0.2,并且Eu的摩尔数与Sr、Ba和Eu的总摩尔数的比率为 0.02~0.08;以及

在1300℃~1700℃的温度下烧制所述混合物,

其中,基于Sr、Ba和Eu的组成比,将发光中心波长控 制为606nm以上,并且最大峰值波长为610nm。

8.根据权利要求7所述的荧光体制造方法,其中,0.5≥x。

9.根据权利要求7所述的荧光体制造方法,其中,所述活化剂的 浓度为2mol%~8mol%。

10.根据权利要求7所述的荧光体制造方法,其中,所述活化剂的 浓度为6mol%~8mol%。

11.根据权利要求7所述的荧光体制造方法,当用蓝光激发时所述 荧光体发射荧光。

12.一种发光装置,该发光装置使用根据权利要求1至6中任一项 所述的荧光体。

13.根据权利要求12所述的发光装置,其中,所述荧光体通过发 射蓝光的发光元件来激发。

14.一种显示装置,该显示装置包括使用根据权利要求1至6中任 一项所述的荧光体的发光装置作为用于照射显示部的光源。

15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述荧光体通过发 射蓝光的发光元件来激发。

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