[发明专利]液晶取向剂、液晶取向膜和液晶显示元件

说明书

技术领域

本发明涉及液晶取向剂、液晶取向膜和液晶显示元件。

背景技术

目前，作为液晶显示元件，已知具有所谓TN型(扭曲向列)液 晶盒的TN型液晶显示元件，其在设置了透明导电膜的基板表面上 形成液晶取向膜，作为液晶显示元件用的基板，将两块该基板对 向地设置，在其间隙内形成具有正介电各向异性的向列型液晶层， 构成夹层结构的盒，液晶分子的长轴从一块基板向另一块基板连 续地扭转90度；以及与TN型液晶显示元件相比能够实现更高对 比度的STN(超扭曲向列)型液晶显示元件、视角依赖性小的IPS(面 内切换)型液晶显示元件、视角依赖性小同时视频画面高速响应性 优良的光学补偿弯曲(光学补偿双折射＝OCB)型液晶显示元件、采 用具有负介电各向异性的向列型液晶的VA(垂直取向)型液晶显示 元件等(专利文献1～6)。

作为这些液晶显示元件中的液晶取向膜的材料，已知聚酰亚 胺、聚酰胺、聚酯等。其中的聚酰亚胺，由于其耐热性、与液晶 的亲和性、机械强度等各方面性能优良，故而被用于很多的液晶 显示元件中(非专利文献1和2)。

不过，在液晶显示元件中，对高精细化等提高显示品质的要 求日益严格。特别是近年来，随着大型液晶电视的普及和运动画 面固定技术的发展，即使在液晶显示元件中，对于能够快速且精 细地显示高度运动的画面的性能，一直以来要求都在提高。从这 个角度出发，对于液晶取向膜，要求有高电压保持性能和良好的 残像性能。这里，所谓残像，是指通过施加电荷而在画面上显示 的图像，在电荷解除后仍然残存的现象，由电荷应力刚解除后的 图像残存程度(应力刚释放后的残像性能)和自电荷应力解除至图 像消失所需的时间长短(残像衰减性)两方面来表现。换句话说，如 果应力刚释放后的残像程度大，仅凭此即可将残像性能评价为不 良，即使应力刚释放后的残像程度小，若其长时间(例如几天时间) 都不消退，则仍然可以将残像性能评价为不良。

除了具备作为液晶取向膜一直以来所要求的各种性能，即耐 热性、与液晶的亲和性、机械强度等以外，还具有高电压保持性 能、并且应力刚释放后的残像和残像衰减性均优良的液晶取向膜 材料，以前是未知的。

【专利文献1】日本特开2002-62537号公报；

【专利文献2】日本特开平7-261181号公报；

【专利文献3】日本特开2003-107486号公报；

【专利文献4】日本特开平11-258605号公报；

【专利文献5】日本特开2007-9031号公报；

【专利文献6】日本特开平4-153622号公报；

【专利文献7】日本特开2002-327058号公报；

【专利文献8】日本特开平6-222366号公报；

【专利文献9】日本特开平6-281937号公报；

【专利文献10】日本特开平5-107544号公报；

【非专利文献1】电子材料(12)、p52(1988)；

【非专利文献2】デイスプレイアンドイメ一ジング，第4 卷，p213(1996)。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而作出的，其目的是提供具有作为液 晶取向膜的各种性能，同时，具有高电压保持性能，能够抑制应 力刚释放后的残像性能，并且残像衰减性优良的液晶取向膜；能 够产生该液晶取向膜的液晶取向剂；以及能够快速且精细地显示 高度运动的画面的、显示品质优良的液晶显示元件。

本发明的其他目的和优点可以由以下的说明获悉。

根据本发明，本发明的上述目的和优点，第一，由一种液晶 取向剂达成，其包含(A)使含有1，2，3，4-环丁烷四羧酸二酐的四羧 酸二酐与含有下述式(1)表示的化合物的二胺反应所制得的聚酰胺 酸以及(B)使四羧酸二酐与二胺反应所制得的聚酰胺酸的酰亚胺 化聚合物，

(式(1)中，R^I和R^II各自为氢原子或碳原子数为1～4的烷基)，

并且，相对于(A)聚酰胺酸所具有的酰胺酸结构数与(B)酰亚胺 化聚合物所具有的酰亚胺环数和酰胺酸结构数的合计数量，(B)酰 亚胺化聚合物所具有的酰亚胺环数的比率为10～50％；