[发明专利]亚阈值CMOS温度检测器

权利要求书

1.一种CMOS温度检测电路，包括：

启动电路，所述启动电路用于生成启动电压；

与绝对温度成比例(PTAT)电流发生器，所述PTAT电流发生器利用CMOS技术形成，耦合至所述启动电路，用于生成PTAT电流，其中，所述启动电压导通所述PTAT电流发生器，并且其中，所述PTAT电流发生器利用CMOS技术的亚阈值特性来生成所述PTAT电流；

PTAT电压发生器，所述PTAT电压发生器耦合至所述PTAT电流发生器，接收所述PTAT电流并且生成反向PTAT电压(VBE)和PTAT电压，其中，从所述PTAT电压得出第一和第二报警值；以及

比较器电路，所述比较器电路耦合至所述电压发生器，用于将所述PTAT电压分别与所述第一和第二报警值相比较，并且基于比较结果，生成报警信号。

2.根据权利要求1所述的CMOS温度检测电路，其中，所述启动器电路包括：

第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的源极连接至第一电源；

第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的漏极在第一节点处连接至所述第一PMOS晶体管的漏极，其源极连接至第二电源，并且其栅极连接至所述第二电源；以及

第二PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管的源极连接至所述第一电源，并且其栅极在所述第一节点处连接至所述第一NMOS晶体管和所述第一PMOS晶体管的漏极。

3.根据权利要求2所述的CMOS温度检测电路，其中，所述第一NMOS晶体管的大小大于所述第一PMOS晶体管的大小。

4.根据权利要求2所述的CMOS温度检测电路，其中，所述第一NMOS晶体管的泄漏电流大于所述第一PMOS晶体管的泄漏电流。

5.根据权利要求2所述的温度检测电路，其中，所述PTAT电流发生器包括：

第三PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管的源极连接至所述第一电源；

第四PMOS晶体管，所述第四PMOS晶体管的源极连接至所述第一电源，并且其栅极连接至所述第三PMOS晶体管的栅极；

第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的漏极连接至所述第三PMOS晶体管的漏极，其源极连接至所述第二电源，并且其栅极连接至其漏极；

第三NMOS晶体管，所述第三NMOS晶体管的源极连接至所述第二电源，其漏极连接至所述第四PMOS晶体管的漏极，并且其栅极连接至所述第二NMOS晶体管的所述栅极，以及

分流电阻器，所述分流电阻器连接在所述第三NMOS晶体管和所述第二电源之间。

6.根据权利要求5所述的温度检测电路，其中，所述PTAT电压发生器包括：

第五PMOS晶体管，所述第五PMOS晶体管的源极连接至所述第一电源，并且其栅极连接至所述第三和第四PMOS晶体管的所述栅极；

第六PMOS晶体管，所述第六PMOS晶体管的源极连接至所述第一电源，并且其栅极连接至所述第三和第四PMOS晶体管的所述栅极；

第五PMOS晶体管，所述第五PMOS晶体管的源极连接至所述第一电源，并且其栅极连接至所述第三和第四PMOS晶体管的所述栅极；

第一电阻器，所述第一电阻器连接在所述第五PMOS晶体管的漏极与所述第二电源之间，用于定义所述第一报警值；

第二电阻器，所述第二电阻器连接在所述第六PMOS晶体管的漏极与所述第二电源之间，用于定义所述第二报警值；以及

双极结型晶体管(BJT)，所述双极结型晶体管的发射极连接至所述第七PMOS晶体管的漏极，其基极连接至所述第二电源，并且其集电极也连接至所述第二电源。

7.根据权利要求6所述的温度检测电路，其中：

第一电流从所述第五PMOS晶体管移动至所述第一电阻器，在所述第五PMOS晶体管和所述第一电阻器之间的节点处生成所述第一报警值；以及

第二电流从所述第六PMOS晶体管移动至所述第二电阻器，在所述第六PMOS晶体管和所述第二电阻器之间的节点处生成所述第二报警值。