[发明专利]发光元件及其制作方法

权利要求书

1.一种发光元件，具有表面局部粗化结构，该发光元件包括：

半导体外延结构；

接触层，位于该半导体外延结构之上，包含至少一粗化区域与一平坦区域；及

电流散布层，位于该接触层之上，包含至少一粗化区域与一平坦区域，其中该接触层粗化区域与该电流散布层粗化区域大致上对应，该接触层平坦区域与该电流散布层平坦区域大致上对应。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中该半导体外延结构包含选自镓、铝、铟、砷、磷、氮以及硅所构成群组的一种或一种以上的物质。

3.如权利要求1所述的发光元件，其中该半导体外延结构还包括第一电性半导体层，有源层，及第二电性半导体层。

4.如权利要求1所述的发光元件，其中该接触层还包括：

平坦接触层，位于该半导体外延结构之上；及

粗化接触层，位于该平坦接触层之上，包含至少一粗化区域与一平坦区域。

5.如权利要求1所述的发光元件，其中该电流散布层包括选自氧化铟锡、氧化铟、氧化锡、氧化镉锡、氧化锌、氧化镁或氮化钛所构成群组的一种或一种以上的物质。

6.一种制作发光元件的方法，该发光元件具有表面局部粗化结构，该方法包括：

形成半导体外延结构；

形成平坦接触层于该半导体外延结构之上；

形成图案光致抗蚀剂层于该平坦接触层之上；

形成粗化接触层于该平坦接触层未被该图案光致抗蚀剂层的覆盖区域上；及

形成电流散布层于该粗化接触层之上，其中该电流散布层顺应该粗化接触层的表面型态而形成。

7.如权利要求6所述的制作发光元件的方法，还包括于形成该粗化接触层后移除该图案光致抗蚀剂层。

8.如权利要求6所述的制作发光元件的方法，其中形成半导体外延结构还包括：

形成第一电性半导体层；

形成有源层位于该第一电性半导体层之上；及

形成第二电性半导体层位于该活化层之上。

9.如权利要求6所述的制作发光元件的方法，其中该电流散布层包括选自氧化铟锡、氧化铟、氧化锡、氧化镉锡、氧化锌、氧化镁或氮化钛所构成群组的一种或一种以上的物质。