[发明专利]半导体元件的安装方法及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200910141837.7 | 申请日： | 2007-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101562142A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 藤森城次;作山诚树;赤松俊也 | 申请（专利权）人： | 富士通微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;陈昌柏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 安装 方法 半导体器件 制造 | ||
1.一种半导体元件的安装方法，经由外部连接凸电极将该半导体元件安 装在布线板上，该安装方法包括以下步骤：
应用回流热处理使该半导体元件的外部连接凸电极与该布线板相连接， 然后应用分步冷却处理；
其中，在该分步冷却处理中：
冷却相连接的该半导体元件和该布线板，以降低温度，
在温度达到指定温度后，保持该指定温度达指定时间，及
在该指定时间过后，再次冷却该半导体元件和该布线板，以进一步降低 温度；以及
其中该指定温度大于等于80℃且小于150℃，并且该指定时间大于等于 120秒。
2.如权利要求1所述的半导体元件的安装方法，其中该分步冷却处理被 重复一次或多次。
3.如权利要求1所述的半导体元件的安装方法，其中该指定时间大于等 于300秒。
4.如权利要求1所述的半导体元件的安装方法，其中该外部连接凸电极 由不含铅的焊料制成。
5.如权利要求1所述的半导体元件的安装方法，其中该布线板由有机材 料制成。
6.如权利要求5所述的半导体元件的安装方法，其中该半导体元件包括 多层布线结构，在所述多层布线结构中经由多个层间绝缘膜叠置多个布线 层，所述层间绝缘膜由具有低介电常数的材料制成。
7.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：
应用回流热处理使半导体元件的外部连接凸电极与布线板相连接，然后 应用分步冷却处理；
其中，在该分步冷却处理中：
冷却相连接的该半导体元件和该布线板，以降低温度，
在温度达到指定温度后，保持该指定温度达指定时间，
在该指定时间过后，再次冷却该半导体元件和该布线板，以进一步降低 温度；以及
其中该指定温度大于等于80℃且小于150℃，并且该指定时间大于等于 120秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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