[发明专利]具有逻辑控制的无桥式功率因数修正器无效

专利信息
申请号: 200910141608.5 申请日: 2009-05-15
公开(公告)号: CN101888171A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 王志良;余金生 申请(专利权)人: 洋鑫科技股份有限公司;王志良
主分类号: H02M1/42 分类号: H02M1/42
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 任永武
地址: 中国台湾台北县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 逻辑 控制 无桥式 功率因数 修正
【权利要求书】:

1.一种具有逻辑控制的无桥式功率因数修正器包含:

一第一连接端、一第二连接端、一输出电压端、一参考电压端,一升压电感器设置于一交流输入电压源与该二连接端间,一滤波电容器连接于该输出电压端与该参考电压端间;

一第一线电压极性检测器与一第二线电压极性检测器,该第一与该第二线电压极性检测器皆连接该交流电压源的两端,分别用以检测该交流输入电压源为负半周期间与正半周期间;

一第一低频开关驱动器与一第二低频开关驱动器,该第一低频开关驱动器受控于该第一与该第二线电压极性检测器其中之一,该第二低频开关驱动器受控于该第一与该第二线电压极性检测器其中的另一个;

一第一升压二极管与一第二升压二极管,该第一与该第二升压二极管的阳极分别连接该第一与该第二连接端,该第一与该第二升压二极管的阴极共同连接于该输出电压端;以及

一第一升压晶体管组件与一第二升压晶体管组件,其中该第一与该第二升压晶体管组件皆包含一第一输入端、一第二输入端、一第一输出端与一第二输出端,该第一与该第二升压晶体管组件的该第一输入端分别连接于该第一与该第二低频开关驱动器,该第一与该第二升压晶体管组件的该第二输入端共同连接于一高频开关控制器,该第一与该第二升压晶体管组件的该第一输出端分别连接该第一与该第二连接端,该第一与该第二升压晶体管组件的该第二输出端共同连接该参考电压端,其中

在负半周期间,该第一低频开关驱动器恒开启该第一升压晶体管组件的该第一与该第二输出端间的通道,而该高频开关控制器开启或关闭该第二升压晶体管组件的该第一与该第二输出端间的通道,在正半周期间,该第二低频开关驱动器恒开启该第二升压晶体管组件的该第一与该第二输出端间的通道,而该高频开关控制器开启或关闭该第一升压晶体管组件的该第一与该第二输出端间的通道。

2.根据权利要求1所述的具有逻辑控制的无桥式功率因数修正器,其特征在于该第一与该第二升压晶体管组件是以“或”逻辑方式控制,且该第一与该第二低频开关驱动器分别由该第一与该第二线电压极性检测器控制。

3.根据权利要求2所述的具有逻辑控制的无桥式功率因数修正器,其特征在于该第一与该第二升压晶体管组件可同时为一单晶体管开关电路或同时为一双晶体管开关电路,或其中之一为该单晶体管开关电路而另一为该双晶体管开关电路。

4.根据权利要求3所述的具有逻辑控制的无桥式功率因数修正器,其特征在于该双晶体管开关电路包含:

一第一N通道金属氧化物半导体场效应晶体管;以及

一第二N通道金属氧化物半导体场效应晶体管,与该第一N通道金属氧化物半导体场效应晶体管并联,其漏极与源极分别连接该第一输出端与该第二输出端,该第一与该第二N通道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极则分别连接该第一输入端与该第二输入端。

5.根据权利要求3所述的具有逻辑控制的无桥式功率因数修正器,其特征在于该单晶体管开关电路包含:

一N通道金属氧化物半导体场效应晶体管,其漏极与源极分别连接该单晶体管开关电路的该第一与该第二输出端,且该N通道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极电性连接其源极;以及

一或逻辑门,该或逻辑门的第一输入端与第二输入端分别连接该单晶体管开关电路的该第一与该第二输入端,且该或逻辑门的输出端连接该N通道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极。

6.根据权利要求2所述的具有逻辑控制的无桥式功率因数修正器,其特征在于该第一与该第二线电压极性检测器分别以光耦合、磁耦合或电耦合方式控制该第一与该第二低频检测驱动电路。

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