[发明专利]具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板及其制造方法有效
申请号: | 200910141414.5 | 申请日: | 2009-05-13 |
公开(公告)号: | CN101888738A | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 李志成 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K1/11;H05K3/40 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 斜面 线路 组件 内埋式基板 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明关于一种内埋式基板及其制造方法,详言之,关于一种具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板及其制造方法。
背景技术
参考图1及图2,显示已知具有线路层组件的内埋式基板的剖面示意图及其局部放大图。该已知具有线路层组件的内埋式基板1具有一芯层11、一第一铜层12、一介电层13及至少一线路层组件。该第一铜层12位于该芯层11上。该介电层13位于该第一铜层12上。该介电层13具有一上表面131及一容置槽132,133,134,该容置槽132,133,134开口于该上表面131。该线路层组件(例如一导电迹线14、一焊垫15或一穿导孔16)位于该介电层13的容置槽132,133,134内。
该已知具有线路层组件的内埋式基板1的缺点如下。该线路层组件(例如该导电迹线14)于与该介电层13交界处形成一尖角,导电时,因电子17本身的特性,其易聚集于该尖角,致使该处电子17集中而产生热,进而产生较高的电阻值,而在信号传输时减损该信号的强度。
此外,在已知技术中,当欲形成一穿导孔16时,须先形成一定位区块18,以便确认该穿导孔16的位置后,才形成该容置槽134,并增加该穿导孔16与一焊料(图中未示)的接触面积及结合力。然而,为了形成该定位区块18,须于设计线路时多加考量,而造成不便。
因此,有必要提供一种具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板及其制造方法,以解决上述问题。
发明内容
本发明提供一种具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板。该内埋式基板包括一介电层及一线路层组件。该介电层具有一上表面及一容置槽,该容置槽开口于该上表面。该线路层组件位于该介电层的容置槽内。该线路层组件具有一上表面、一化学铜层、一电镀铜层及一侧斜面。该上表面等高于或低于该介电层的上表面。该化学铜层位于该容置槽的孔壁,且该化学铜层具有钯(Pd)。该电镀铜层位于该化学铜层上。该侧斜面位于该线路层组件的上表面靠近该容置槽的孔壁处,且由该线路层组件的上表面向下延伸至该容置槽的孔壁。
本发明更提供一种具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板的制造方法。该制造方法包括以下步骤:(a)提供一基板,该基板包括一介电层,其具有一上表面;(b)从该介电层的上表面移除部分该介电层,以形成至少一容置槽,该容置槽开口于该上表面;(c)形成一化学铜层于该容置槽的孔壁及该介电层的上表面,且该化学铜层具有钯(Pd);(d)形成一电镀铜层于该化学铜层上,且填满该容置槽;(e)移除位于该介电层的上表面的该化学铜层及该电镀铜层,以形成一线路层组件;及(f)利用一蚀刻液对该线路层组件进行湿蚀刻(Wet Etching),以移除部分该线路层组件,而形成该线路层组件的一上表面及一侧斜面,其中该侧斜面位于该线路层组件的上表面靠近该容置槽的孔壁处,且由该线路层组件的上表面向下延伸至该容置槽的孔壁,该线路层组件的上表面等高于或低于该介电层的上表面。
藉此,该线路层组件的侧斜面与该容置槽的孔壁间形成一锚形空隙,可避免已知技术中电子聚集于该线路层组件的尖角,而减损一信号的强度。
附图说明
图1显示已知具有线路层组件的内埋式基板的剖面示意图;
图2显示图1的局部放大图;
图3至图8显示本发明具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板的制造方法的示意图;
图9显示图8的局部放大图;及
图10显示本发明具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板的线路层组件的较佳实施例的局部放大图。
主要组件符号说明:
1已知具有线路层组件的内埋式基板
2基板
3本发明具有侧斜面的线路层组件的内埋式基板
11芯层
12第一铜层
13介电层
14线路层组件
15线路层组件
16线路层组件
17电子
18定位区块
21芯层
22第一铜层
23介电层
24化学铜层
25电镀铜层
26焊垫
27导电迹线
27A导电迹线
28穿导孔
131上表面
132容置槽
133容置槽
134容置槽
231上表面
232容置槽
233容置槽
234容置槽
261上表面
262侧斜面
271上表面
272侧斜面
281上表面
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