[发明专利]具有反耦合电容的集成电路

权利要求书

1.一种具有反耦合电容的集成电路，包括：

一电路模块，其具有耦接至一对电源供应节点之间的多个有源元件；以 及

一反耦合电容模块，耦接至该电路模块，该反耦合电容模块包括多个金 属-绝缘体-金属电容，以串联方式耦接于该对电源供应节点之间，其中介于 该对电源供应节点之间的电压经由所述多个金属-绝缘体-金属电容分压，因 而降低施加于所述多个金属-绝缘体-金属电容的电压应力，其中该反耦合电 容模块形成于一介电层中，该介电层介于一元件基板和形成于该元件基板上 的一金属内连线层之间形成，该金属内连线层具有多个内连线，以提供该对 电源供应节点，且其中每一个所述金属-绝缘体-金属电容的一底电极通过形 成于该元件基板上的一横向导电物耦接至少一部分的该金属内连线层。

2.如权利要求1所述的集成电路，其中该电路模块包括一存储器阵列。

3.如权利要求2所述的集成电路，其中该存储器阵列为动态随机存取存 储器晶胞阵列。

4.如权利要求1所述的集成电路，其中每一个所述金属-绝缘体-金属电 容与一电阻并联。

5.如权利要求4所述的集成电路，其中该电阻为多晶硅电阻。

6.如权利要求1所述的集成电路，其中所述横向导电物通过形成于该介 电层中的多个对应的导电介层孔插塞耦接至对应的所述金属-绝缘体-金属电 容的所述底电极和对应的该金属内连线层。

7.如权利要求1所述的集成电路，其中所述横向导电物包括一多晶硅 层，其上具有一硅化物区，其中该硅化物区通过形成于该介电层中的多个对 应的导电介层孔插塞耦接至对应的所述金属-绝缘体-金属电容的所述底电极 和对应的该金属内连线层。

8.如权利要求7所述的集成电路，其中所述横向导电物形成于一浅沟槽 隔绝物上，该浅沟槽隔绝物形成于该元件基板中。

9.如权利要求1所述的集成电路，其中所述横向导电物包括形成于该元 件基板上的一硅化物区，且耦接至所述多个金属-绝缘体-金属电容的其中一 个的所述横向导电物和耦接至所述多个金属-绝缘体-金属电容的另一个的所 述横向导电物通过形成于多个所述横向导电物之间的一隔绝区彼此隔离。

10.如权利要求1所述的集成电路，还包括形成于该元件基板与每一个 所述金属-绝缘体-金属电容之间的一接触插塞，其中该接触插塞接触对应的 所述金属-绝缘体-金属电容的该底电极，且该接触插塞通过形成于该介电层 中的多个对应的导电介层孔插塞耦接至对应的该金属内连线层。

11.如权利要求10所述的集成电路，其中该接触插塞形成于多个硅化物 区的其中一个上，而多个所述硅化物区形成于该元件基板的一上表面上，其 中多个硅化物区通过形成于多个所述硅化物区之间的一隔绝区彼此隔离。

12.如权利要求1所述的集成电路，其中该反耦合电容模块由两个金属- 绝缘体-金属电容组成。

13.如权利要求1所述的集成电路，其中该反耦合电容模块包括三个或 多个金属-绝缘体-金属电容。

14.如权利要求1所述的集成电路，其中该对电源供应节点分别耦接至 一正电源电压和一接地电压。