[发明专利]等离子体处理装置及其绝缘盖板有效
| 申请号: | 200910141055.3 | 申请日: | 2009-05-18 |
| 公开(公告)号: | CN101546702A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
| 发明(设计)人: | 蔡世华;徐茂平;陈衍光 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01J37/32;H01L37/02 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 冯志云;郑特强 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 及其 绝缘 盖板 | ||
1.一种等离子体处理装置,包括:
一腔室;
一下电极板,配置于该腔室内;
一上电极板,配置于该腔室内,并位于该下电极板上方;
一电源,电性连接至该上电极板与该下电极板;
一支撑框架,配置于该腔室内,并位于该下电极板与该上电极板之间;
一绝缘盖板,配置于该支撑框架与该下电极板之间,该绝缘盖板包括:
一中央盖板,具有一主体部以及一凸缘部,其中该主体部具有多个
第一气孔,用以供该气体通过,而该凸缘部环绕该主体部;和
多个侧盖板,分别具有一圆角以及一承靠面,其中各侧盖板与其余侧盖板其中的两个侧盖板相邻,且各侧盖板通过该圆角而邻靠于该中央盖板的该主体部旁,各侧盖板的该承靠面则承靠于该中央盖板的该凸缘部;以及
一气体供应单元,连接至该腔室,用以使所供应的气体依序经过该支撑框架的开口或多个气孔及该绝缘盖板的第一气孔进入至该腔室内。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其中各侧盖板的该承靠面为平面。
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其中各侧盖板的该承靠面呈阶梯状。
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其中各侧盖板的该承靠面位于该中央盖板的该凸缘部与该下电极板之间。
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其中该中央盖板的该凸缘部位于各侧盖板的该承靠面与该下电极板之间。
6.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其中该支撑框架呈十字形,并对应至所述多个侧盖板的拼接处。
7.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其中该气体供应单元用以使所供应的气体依序经过该支撑框架的开口及该绝缘盖板的第一气孔进入至该腔室内,且该开口对应至该中央盖板上的所述多个第一气孔。
8.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其中该绝缘盖板的材质包括陶瓷。
9.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其中该支撑框架的材质包括金属。
10.一种绝缘盖板,适用于一等离子体处理装置,该绝缘盖板包括:
一中央盖板,具有一主体部以及一凸缘部,其中该主体部具有多个第一气孔,而该凸缘部环绕该主体部;以及
多个侧盖板,分别具有一圆角以及一承靠面,其中各侧盖板与其余侧盖板其中的两个侧盖板相邻,且各侧盖板通过该圆角而邻靠于该中央盖板的该主体部旁,各侧盖板的该承靠面则承靠于该中央盖板的该凸缘部。
11.如权利要求10所述的绝缘盖板,其中各侧盖板的该承靠面为平面。
12.如权利要求10所述的绝缘盖板,其中各侧盖板的该承靠面呈阶梯状。
13.如权利要求10所述的绝缘盖板,其材质包括陶瓷。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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