[发明专利]特别为电源电压低于1V的应用生成温度补偿电压基准的电路

权利要求书

1.一种用于生成经温度补偿的电压基准(VBG)的电路(10)， 该电路包括至少一个带隙电压发生器电路(13)，该至少一个带隙电 压发生器电路被插入到第一电压基准(VDD)和第二电压基准(GND) 之间并且包括运算放大器(OA1)，该运算放大器又具有连接到输入 级(15)的第一和第二输入端子(T1，T2)，输入级(15)耦联到 所述第一和第二输入端子(T1，T2)，并且包括至少一对第一和第 二双极晶体管(Q1，Q2)用于生成与温度成比例的第一电压分量(Δ VBE)，其特征在于该用于生成经温度补偿的电压基准(VBG)的电 路(10)包括控制模块(14)，该控制模块通过与至少一个第一控制 节点(Xc1)相联系的方式连接到所述带隙电压发生器电路(13)， 所述第一控制节点(Xc1)耦合至所述输入级(15)的所述第一双极 晶体管(Q1)的基极端子，向该至少一个第一控制节点(Xc1)供应 偏置电压值(VBase)，该偏置电压值包括至少一个随着温度增加的 电压分量，以用于补偿所述第一和第二双极晶体管(Q1，Q2)的基 极-发射极电压(Vbe)的变动并且确保所述运算放大器(OA1)的一 对输入晶体管的开启，所述用于生成经温度补偿的电压基准(VBG) 的电路(10)具有适合于供应经温度补偿的电压基准(VBG)的输出 端子(OUT)，该经温度补偿的电压基准是通过将与温度成比例的所 述第一电压分量(ΔVBE)以及与温度成反比例的第二分量(VBE3) 进行求和而得到的，所述控制模块(14)还通过与另外的控制节点 (Xc3)相联系的方式连接到基准模块(11)，所述基准模块(11) 适合于供应被镜像在基准电压值(Viref)中的不随温度变化的基准 电流值(Iref)。

2.根据权利要求1的用于生成经温度补偿的电压基准(VBG)的 电路(10)，其中，所述第一双极晶体管(Q1)连接在所述运算放 大器(OA1)的所述第二输入端子(T2)与所述第二电压基准(GND) 之间，并且所述第二双极晶体管(Q2)与电阻元件(R2)串联地连 接在所述运算放大器(OA1)的所述第一输入端子(T1)与所述第二 电压基准(GND)之间，其特征在于所述控制模块(14)通过与所述 输入级(15)的所述第一和第二双极晶体管(Q1，Q2)的共用基极 端子相联系的方式连接到所述带隙电压发生器电路(13)。

3.根据权利要求1的用于生成经温度补偿的电压基准(VBG)的 电路(10)，其特征在于，所述控制模块(14)包括：

-第一和第二MOS晶体管(M5，M6)，该第一和第二MOS晶 体管相互串联地插入到所述第一电压基准(VDD)与所述第一控制节 点(Xc1)之间并且通过与内电路节点(X4)相联系的方式互联；和

-第三和第四MOS晶体管(M10，M7)，该第三和第四MOS 晶体管相互串联地插入到所述第一电压基准(VDD)与又一内电路节 点(X5)之间，

所述第一MOS晶体管(M5)具有控制端子，且所述第二MOS 晶体管(M6)具有控制端子，所述第一MOS晶体管的控制端子连接 到所述第三MOS晶体管(M10)的控制端子，所述第二MOS晶体 管的控制端子连接到所述第四MOS晶体管(M7)的控制端子，继而 成二极管接法，所述第一和第三MOS晶体管(M5，M10)的共用控 制端子连接到所述运算放大器(OA1)的输出端子(Tout)。

4.根据权利要求3的用于生成经温度补偿的电压基准(VBG)的 电路(10)，其特征在于，所述控制模块(14)还包括：

-第五和第六MOS晶体管(M8，M9)，该第五和第六MOS晶 体管相互并联地插入到所述第一控制节点(Xc1)与所述第二电压基 准(GND)之间，所述第五MOS晶体管(M8)具有与所述内电路 节点(X4)相连接的控制端子，且所述第六MOS晶体管(M9)具 有与所述另外的控制节点(Xc3)相连接的控制端子；和

-第七MOS晶体管(M11)和电阻元件(R3)，该第七MOS 晶体管(M11)和电阻元件(R3)相互并联地插入到所述又一内电路 节点(X5)与所述第二电压基准(GND)之间，所述第七MOS晶体 管(M11)具有与所述另外的控制节点(Xc3)相连接的控制端子。