[发明专利]电子发射器件和图像显示装置无效
| 申请号: | 200910140870.8 | 申请日: | 2009-05-14 |
| 公开(公告)号: | CN101582356A | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
| 发明(设计)人: | 武田俊彦;塚本健夫;糠信恒树;森口拓人 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | H01J1/316 | 分类号: | H01J1/316;H01J29/04;H01J31/12 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 康建忠 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 发射 器件 图像 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及电子发射器件和具有多个所述器件的图像显示装置。
背景技术
表面传导型的电子发射器件利用如下现象:当电流与膜平面平行地穿过在绝缘基板上形成的导电膜时,电子被发射。
日本专利申请公开No.2002-352699公开了具有这样的结构的表面传导型的电子发射器件:通过将导电膜分割成多个导电膜并由此增加导电膜中的每一个的电阻,在已出现放电时抑制异常大的电流流动。
但是,近来的图像显示装置需要表现出长时期以较高的清晰度稳定地显示图像的性能。出于这种原因,在应用电子发射器件的显示器中,希望电子发射器件表现出高的会聚性和优异的长时期稳定性。在显示像素以一对一的关系与电子发射器件对应的图像显示装置中,电子发射器件中的每一个中的电流的波动导致像素之间的亮度变化,使得电子发射器件需要更加均匀和稳定。
发明内容
本发明致力于提供这样的电子发射器件和使用该器件的图像显示装置:所述电子发射器件不需要另外添加的新电极、具有优异的会聚性、并且显示出短时期和长时期的小的放出(discharged)电流变化。
本发明提供一种电子发射器件,该电子发射器件至少具有在绝缘基板上形成的一对器件电极、和形成为使器件电极相互连接并在其中具有间隙的多个导电膜,其中,至少与导电膜之间的间隙相邻并且不覆盖有导电膜的区域的表面比导电膜的表面高。
本发明还提供一种电子发射器件,该电子发射器件具有绝缘基板、被布置在绝缘基板上的一对电极、和被平行放置在所述一对电极之间以使电极相互连接的多个导电膜,其中,多个导电膜中的每一个具有电子发射部分,以及,位置比导电膜的表面高的绝缘构件被布置在多个导电膜之中的彼此相邻导电膜之间的绝缘基板上的区域中。
本发明还提供一种电子发射器件,该电子发射器件具有绝缘基板、被布置在绝缘基板上的一对电极、和被平行放置在所述一对电极之间以使电极相互连接的多个导电膜,其中,多个导电膜中的每一个具有电子发射部分,以及,多个导电膜之中的彼此相邻导电膜之间的绝缘基板的表面的位置比导电膜的表面高。
本发明还提供一种图像显示装置,该图像显示装置包含:第一基板,具有布置在其上的多个电子发射器件;和第二基板,其具有被布置为与电子发射器件相对的、要被从电子发射器件发射的电子照射的图像显示构件,并被布置为与第一基板相对。
从参照附图对示例性实施例的以下描述,本发明的进一步的特征将变得明显。
附图说明
图1A、图1B、图1C和图1D是根据本发明的电子发射器件的一个实施例的示意图。
图2A、图2B、图2C和图2D是根据本发明的电子发射器件的另一实施例的示意图。
图3是用于描述根据本发明的遮蔽(shielding)部分的功能的部分示意图。
图4是示出根据本发明的遮蔽部分高度和电子束展开(spread)之间的关系的部分示意图。
图5A、图5B和图5C是示出图1A、图1B、图1C和图1D中的电子发射器件的制造过程的透视图。
图6是用于评价根据本发明的电子发射器件的装置的示意图。
图7是示出在成形(forming)步骤中要施加的脉冲电压的一个例子的示意图。
图8是示出在激活步骤中要施加的脉冲电压的一个例子的示意图。
图9A、图9B和图9C是示出图2A、图2B、图2C和图2D中的电子发射器件的制造过程的透视图。
图10是根据本发明的图像显示装置的一个例子的显示板的示意图。
图11A、图11B、图11C、图11D和图11E是示出根据本发明的示例性实施例的电子源的制造过程的示意性平面图。
具体实施方式
本发明的第一方面是一种电子发射器件,该电子发射器件至少具有在绝缘基板上形成的一对器件电极、和形成为使器件电极相互连接并且分别在器件电极之间的区域中具有间隙的多个导电膜,其中,至少与导电膜之间的间隙相邻并且不覆盖有导电膜的区域的表面比导电膜的表面高。
本发明的第二方面是一种电子发射器件,该电子发射器件具有绝缘基板、被布置在绝缘基板上的一对电极、和被平行放置在所述一对电极之间以使电极相互连接的多个导电膜,其中,多个导电膜中的每一个具有电子发射部分,以及,位置比导电膜的表面高的绝缘构件被布置在多个导电膜之中的彼此相邻导电膜之间的绝缘基板上的区域中。
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