[发明专利]Ⅲ族氮化物类半导体发光元件及外延晶圆

权利要求书

1.一种III族氮化物类半导体发光元件，其特征在于，

包括：基板，由氮化镓类半导体构成，具有呈现半极性的主面，

n型氮化镓类半导体区域，设置在上述基板的上述主面上，具有 沿着预定平面延伸的主面；

p型氮化镓类半导体区域；

由第一氮化镓类半导体构成的空穴阻挡层；和

由氮化镓类半导体构成的活性层，该活性层设置在上述p型氮化 镓类半导体区域和上述空穴阻挡层之间，

上述n型氮化镓类半导体区域设置在上述基板和上述空穴阻挡层 之间，

上述空穴阻挡层及上述活性层配置在上述n型氮化镓类半导体区 域的上述主面和上述p型氮化镓类半导体区域之间，

上述n型氮化镓类半导体区域的c轴相对于上述预定平面的法线 倾斜，

上述空穴阻挡层的带隙大于上述n型氮化镓类半导体区域的带 隙，

上述空穴阻挡层的带隙大于上述活性层中的带隙的最大值，

上述空穴阻挡层的厚度小于上述n型氮化镓类半导体区域的厚 度，

上述n型氮化镓类半导体区域的c轴和上述预定平面的法线所成 的倾斜角为10度以上、80度以下。

2.根据权利要求1所述的III族氮化物类半导体发光元件，其特 征在于，上述空穴阻挡层的厚度为5nm以上。

3.根据权利要求1或2所述的III族氮化物类半导体发光元件， 其特征在于，上述空穴阻挡层的厚度为50nm以下。

4.根据权利要求1或2所述的III族氮化物类半导体发光元件， 其特征在于，在上述空穴阻挡层中添加有n型掺杂剂。

5.根据权利要求1所述的III族氮化物类半导体发光元件，其特 征在于，上述空穴阻挡层的上述第一氮化镓类半导体作为III族元素包 括镓、铟及铝。

6.根据权利要求1或5所述的III族氮化物类半导体发光元件， 其特征在于，

上述空穴阻挡层的上述第一氮化镓类半导体作为III族包括铟，

上述空穴阻挡层的铟组成大于0且在0.3以下。

7.根据权利要求1或2所述的III族氮化物类半导体发光元件， 其特征在于，上述空穴阻挡层包括AlGaN层。

8.根据权利要求1或5所述的III族氮化物类半导体发光元件， 其特征在于，

上述空穴阻挡层的上述第一氮化镓类半导体作为III族包括铝，

上述空穴阻挡层的铝组成大于0且在0.5以下。

9.根据权利要求1或2所述的III族氮化物类半导体发光元件， 其特征在于，

还包括由第二氮化镓类半导体构成的电子阻挡层，该电子阻挡层 设置在上述活性层和上述p型氮化镓类半导体区域之间，上述空穴阻 挡层的厚度小于上述电子阻挡层的厚度。

10.根据权利要求1或2所述的III族氮化物类半导体发光元件， 其特征在于，该III族氮化物类半导体发光元件为发光二极管。

11.根据权利要求1或2所述的III族氮化物类半导体发光元件， 其特征在于，上述基板由GaN构成。

12.根据权利要求1所述的III族氮化物类半导体发光元件，其特 征在于，

上述活性层具有包括阱层及阻挡层的量子阱结构，

上述阱层的数量为4以下。

13.根据权利要求12所述的III族氮化物类半导体发光元件，其 特征在于，上述阱层由作为III族包括In的氮化镓类半导体构成。

14.根据权利要求12或13所述的III族氮化物类半导体发光元件， 其特征在于，上述阱层由In_XGa_1-XN构成，上述阱层的铟组成X为0.15 以上。