[发明专利]阵列基板及具有阵列基板的液晶显示装置无效

专利信息
申请号: 200910140135.7 申请日: 2009-07-08
公开(公告)号: CN101625493A 公开(公告)日: 2010-01-13
发明(设计)人: 咸然植;全渊文;许龙九 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L23/528
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张 波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 阵列 具有 液晶 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及阵列基板和具有该阵列基板的液晶显示(LCD)装置。具体地,本发明涉及阵列基板和具有该阵列基板且该阵列基板用作LCD面板的基板的LCD装置。

背景技术

通常,液晶显示(LCD)装置是最广泛使用的平板显示装置的类型之一,液晶显示装置包括其中形成有电场产生电极的两个显示基板,并且液晶层插设在两个显示基板之间。通过向电场产生电极施加电压,电场在液晶层中产生。该电场确定液晶层中的液晶分子的取向。通过控制入射光的偏振来显示图像,入射光的偏振因液晶分子的取向而产生。

垂直配向(VA)模式的LCD装置因为高对比度而被广泛使用,在垂直配向(VA)模式的LCD装置中液晶分子的主轴基本上垂直于上基板和下基板取向。

然而,为了改善视角,已经开发了图案化垂直配向(PVA)模式的LCD装置、平面内转换(IPS)模式的LCD装置、平面到线转换(PLS)的LCD装置和杂散场转换(FFS)模式的LCD装置,其中图案化垂直配向(PVA)模式的LCD装置具有垂直配向(VA)模式的LCD装置所没有采用的切开部分(incision part)。

已经开发了以上的LCD装置来增加开口率(aperture ratio)、降低驱动电压及减少信号线和电场产生电极之间的寄生电容。

发明内容

本发明提供能够通过降低信号畸变而提高图像质量的阵列基板。

本发明还提供具有该阵列基板的液晶显示(LCD)装置。

本发明的其它特征将在下面的描述中被揭示,并且从该描述中部分被显示,或者可以通过本发明的实践被知悉。

本发明揭示一种阵列基板,其包括基板、开关元件、像素电极和公共电极。在基板上布置栅极线和数据线,并且与栅极线绝缘的数据线延伸在与栅极线交叉的方向上。开关元件连接到栅极线和数据线。像素电极布置在被定义在基板上的像素区域中,并且像素电极连接到开关元件的输出电极。与像素电极绝缘的公共电极对应于像素区域布置在基板上。至少一个第一狭长切口对应于数据线形成在公共电极中。

本发明还揭示LCD装置,其包括阵列基板、相对基板和液晶层。阵列基板包括下基板、开关元件、像素电极和公共电极。在下基板上布置栅极线和数据线,并且与栅极线绝缘的数据线延伸在与栅极线交叉的方向上。开关元件连接到栅极线和数据线。像素电极布置在被定义在下基板上的像素区域中,且连接到开关元件的输出电极。与像素电极绝缘的公共电极布置在下基板上,在下基板中对应于像素区域布置至少一个数据线。在对应于数据线的公共电极中布置至少一个第一狭长切口。液晶层设置在阵列基板和相对基板之间。

应当理解的是,前面的总体描述和后面的详细描述都是示范性和说明性的,并且旨在对如权利要求的本发明提供进一步的说明。

附图说明

包括附图以提供对本发明的进一步理解,这些附图被并入、并构成本说明书的一部分,其图解了本发明的实施例,并与描述一起用于说明本发明的原理。

图1是示出根据本发明第一示范性实施例的显示装置的平面图;

图2是示出图1中的显示装置的像素的放大平面图;

图3是沿着图2中的I-I’线剖取的截面图;

图4A、图4B和图4C是示出图1、图2和图3中的阵列基板的制造方法的平面图;

图5是示出图2中的公共电极的第一狭长切口的放大平面图;

图6是沿着图5中的II-II’线剖取的截面图;

图7A是示出通过未形成公共电极的狭长切口的显示装置侧面的光泄漏的图;

图7B是示出通过根据本发明第一示范性实施例的显示装置侧面的光泄漏的图;

图8是示出根据本发明第二示范性实施例的显示装置的开关元件的截面图;

图9是示出形成在图8的显示装置的数据线上方的公共电极中的狭长切口的截面图;

图10是示出根据本发明第三示范性实施例的显示装置的放大平面图。

具体实施方式

下面,将参考附图更全面地描述本发明,附图中示出了本发明的示范性实施例。然而,本发明可以以多种不同的形式实施并且不应被解释为限于在此所阐述的示范性实施例。相反,提供这些实施例使得该揭示透彻和完整,并且向本领域的技术人员充分传达本发明的范围。在附图中,为了清楚起见,可能夸大层和区的尺寸和相对尺寸。附图中相似的附图标号表示相似的元件。

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