[发明专利]基板清洗方法以及显影装置

权利要求书

1.一种基板清洗方法，在向曝光的基板的表面供给显影液进行 显影后，对基板的表面进行清洗，其特征在于，包括：

一边使水平保持基板的基板保持部绕垂直轴旋转，一边向基板的 中心部供给清洗液的工序；

此后，使基板保持部一直旋转，停止清洗液的供给从而使基板的 中心部产生清洗液的干燥区域或是将清洗液的供给位置以比干燥区 域的扩展速度快的速度从基板的中心部移动到外侧，从而使基板的中 心部产生清洗液的干燥区域的工序；

在使基板保持部以1500rpm以上的转速旋转的状态下，不向上 述干燥区域内供给清洗液而使上述干燥区域从基板的中心部向外在 离心力作用下自然地扩展的工序；

向上述基板的表面上不会妨碍基于离心力的干燥区域的自然扩 展的该干燥区域的外侧区域供给清洗液的工序。

2.如权利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于，包括如下 工序，即：在进行了向上述干燥区域的外侧区域供给清洗液的工序之 后，在从基板的周缘向中心部一侧偏靠的位置且从基板的中心部向外 侧离开预先设定的距离的位置处，停止该清洗液的供给。

3.如权利要求2所述的基板清洗方法，其特征在于，基板是大 小为8英寸以上的半导体晶片，上述预先设定的距离是从基板的中心 部起50mm以上、95mm以下的距离。

4.如权利要求1至3中任一所述的基板清洗方法，其特征在于， 通过向基板的中心部供给清洗液的喷嘴，进行向上述干燥区域的外侧 区域供给清洗液的工序。

5.如权利要求1至3中任一所述的基板清洗方法，其特征在于，

通过与向基板的中心部供给清洗液的喷嘴不同的喷嘴，进行向上 述干燥区域的外侧区域供给清洗液的工序。

6.如权利要求1至3中任一所述的基板清洗方法，其特征在于， 使基板的中心部产生清洗液的干燥区域的工序除了在停止清洗液的 供给或是将清洗液的供给位置从基板的中心部移动到外侧之外，还包 括向基板的中心部喷吹气体，并立刻停止该喷吹的工序。

7.一种显影装置，通过显影液喷嘴向曝光的基板的表面供给显 影液以进行显影，接下来清洗该基板的表面，其特征在于，包括：

基板保持部，水平保持基板；

旋转机构，使该基板保持部绕垂直轴旋转；

清洗液喷嘴，向保持在上述基板保持部上的基板的表面供给清洗 液；

喷嘴驱动机构，用于移动该清洗液喷嘴；

控制机构，执行如下步骤，即：一边使基板保持部旋转一边从上 述清洗液喷嘴向基板的中心部供给清洗液的步骤；使清洗液的供给位 置从基板的中心部以比干燥区域的扩展速度快的速度移动到外侧，从 而使基板的中心部产生清洗液的干燥区域的步骤；通过设为使基板保 持部以1500rpm以上的转速旋转的状态，使上述干燥区域从基板的 中心部向外在离心力作用下自然地扩展，并且以它的清洗液的供给位 置比干燥区域的扩展速度快的速度将清洗液喷嘴向基板的外侧移动 的步骤。

8.如权利要求7所述的显影装置，其特征在于，上述控制机构 除了将清洗液喷嘴以比干燥区域的扩展速度快的速度向着基板的外 侧移动的步骤之外，还执行在从基板的周缘向中心部一侧偏靠的位置 且从基板的中心部向外侧离开预先设定的距离的位置处，停止从该清 洗液喷嘴供给清洗液的步骤。

9.如权利要求7或8所述的显影装置，其特征在于，还具备用 于将气体向基板喷吹的气体喷嘴，

使基板的中心部产生清洗液的干燥区域的步骤是如下步骤，即在 使清洗液的供给位置从基板的中心部移动到外侧之后，从气体喷嘴将 气体向基板的中心部喷吹，并立刻停止该喷吹。

10.如权利要求8所述的显影装置，其特征在于，基板是8英寸 尺寸以上的大小的半导体晶片，上述预先设定的距离是从基板的中心 部起50mm以上、95mm以下的距离。