[发明专利]用于铜/低k后段制程清洗的清除剂无效
| 申请号： | 200910138733.0 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101544931A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 李翊嘉;刘文达;廖明吉;M·I·埃贝;M·B·劳;M·W·莱根扎;许志民 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | C11D7/28 | 分类号： | C11D7/28;C11D7/26;C11D7/32;C11D7/50;G03F7/42;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 赵苏林;韦欣华 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 后段 清洗 清除 | ||
【权利要求书】：
1、一种用于除去电子器件基底的光致抗蚀剂以及蚀刻和灰化残渣的化学清 除剂配方，其包括：去离子水，羧酸，二醇，二醇醚和氟化物。
2、权利要求1的配方，包括去离子水，乙酸，聚乙二醇，二丙二醇单甲基 醚和氟化铵。
3、权利要求1的配方，其中该配方包含下述用量的配方组分：
DIW 90.00
乙酸 0.50
PG 4.40
DPM 5.00
NH4F(40％) 0.10。
4、一种除去电子器件基底的光致抗蚀剂以及蚀刻和灰化残渣的方法，通过 使基底与一种包括：去离子水，羧酸，二醇，二醇醚和氟化物的配方接触。
5、权利要求4的配方，其包括去离子水，乙酸，聚乙二醇，二丙二醇单甲 基醚和氟化铵。
6、权利要求5的方法，其中该配方包含下述用量的配方组分：
DIW 90.00
乙酸 0.50
PG 4.40
DPM 5.00
NH4F(40％) 0.10。
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