[发明专利]发声装置

权利要求书

1.一种发声装置，其包括：

一发声元件；以及

一信号输入装置，用于输出信号至该发声元件；

其特征在于，该发声元件包括一碳纳米管结构，该碳纳米管结构由均匀分布 的碳纳米管组成，且碳纳米管结构中的碳纳米管之间通过范德华力相互吸引 形成一自支撑结构，该碳纳米管结构用于接收所述信号输入装置输出的信号 并加热周围介质使周围介质迅速膨胀和冷缩从而发出相应声波。

2.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述发声元件的单位面积热容 小于2×10^-4焦耳每平方厘米开尔文。

3.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述发声元件的单位面积热容 小于1.7×10^-6焦耳每平方厘米开尔文。

4.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述发声装置的发声频率为1 赫兹～10万赫兹。

5.如权利要求4所述的发声装置，其特征在于，所述发声装置在500赫兹至4 万赫兹频率范围内的失真度小于3%。

6.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述发声装置的声压级大于50 分贝。

7.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述碳纳米管结构为膜状结构， 该碳纳米管结构的厚度为0.5纳米～1毫米。

8.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述碳纳米管结构包括均匀分 布的碳纳米管，碳纳米管之间通过范德华力相互连接。

9.如权利要求8所述的发声装置，其特征在于，该碳纳米管结构中的碳纳米管 为无序或有序排列。

10.如权利要求8所述的发声装置，其特征在于，所述碳纳米管结构中的碳纳米 管包括单壁碳纳米管、双壁碳纳米管及多壁碳纳米管中的一种或多种，所述 单壁碳纳米管的直径为0.5纳米～50纳米，所述双壁碳纳米管的直径为1.0 纳米～50纳米，所述多壁碳纳米管的直径为1.5纳米～50纳米。

11.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述发声装置进一步包括至少 两电极，该至少两电极间隔设置且与所述发声元件电连接。

12.如权利要求11所述的发声装置，其特征在于，所述至少两电极进一步通过 导线与所述信号输入装置的两端电连接。

13.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述发声装置进一步包括多个 电极，该多个电极中任意两个相邻的电极分别与所述信号输入装置的两端电 连接。

14.如权利要求11所述的发声装置，其特征在于，所述至少两电极为一维、二 维或三维结构。

15.如权利要求11所述的发声装置，其特征在于，所述至少两电极的材料为金 属、导电胶、碳纳米管或铟锡氧化物。

16.如权利要求11所述的发声装置，其特征在于，所述发声装置进一步包括一 导电粘结层设置在所述至少两电极和碳纳米管结构之间。

17.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述信号输入装置包括音频信 号输入装置、光信号输入装置、电信号输入装置或电磁波信号输入装置。

18.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述信号输入装置输入的信号 包括电磁波、交流电信号、音频电信号或光信号。

19.一种发声装置，其包括：

一信号输入装置；

至少两电极，该至少两电极间隔设置；以及

一发声元件，该发声元件通过所述至少两电极接收所述信号输入装置输出的 信号；

其特征在于，该发声元件包括一碳纳米管结构，该碳纳米管结构由均匀分布 的碳纳米管组成，且碳纳米管结构中的碳纳米管之间通过范德华力相互吸引 形成一自支撑结构，该碳纳米管结构通过所述至少两电极接收所述信号输入 装置输出的信号并加热周围介质使周围介质迅速膨胀和冷缩从而发出相应 的声波。