[发明专利]应用于电阻式随机存取存储器的电脉冲电压操作方法

权利要求书

1.一种制造一存储装置的方法，其特征在于，该方法包括：

形成一金属-氧化物存储元件；

施加一活化能至该金属-氧化物存储元件；

其中，该施加活化能是利用一偏压电路施加一活化调整偏压至该金属 -氧化物存储元件，其中该偏压电路被耦接至该金属-氧化物存储元件；或 者该施加活化能是对该金属-氧化物存储元件进行活化退火工艺，以将热活 化能提供至该金属-氧化物存储元件；

该偏压电路施加至该金属-氧化物存储元件的该活化调整偏压大于在 对该金属-氧化物存储元件进行编程操作时该偏压电路施加于该金属-氧化 物存储元件的编程调整偏压，该编程调整偏压包括用以在高电阻状态与低 电阻状态之间改变电阻状态的一第一调整偏压和一第二调整偏压，该第一 调整偏压用以将该金属-氧化物存储元件的该电阻状态由该高电阻状态转 变至该低电阻状态；该第二调整偏压用以将该金属-氧化物存储元件的该电 阻状态由该低电阻状态转变至该高电阻状态。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

该金属-氧化物存储元件于形成后具有一初始电阻；以及

施加该活化能的步骤可增加该金属-氧化物存储元件的该初始电阻。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

该金属-氧化物存储元件可编程至多个电阻状态，该多个电阻状态包括 一低电阻状态与一高电阻状态；以及

施加该活化能的步骤包括，施加一穿越该金属-氧化物存储元件的活化 调整偏压，以于该金属-氧化物存储元件中产生第一能量，进而将该金属- 氧化物存储元件的电阻状态由最低电阻状态转变至最高电阻状态。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，该最高电阻状态为该 金属-氧化物存储元件用以表示数据的最高电阻状态。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

该活化调整偏压提供一第一能量至该金属-氧化物存储元件；以及

该第二调整偏压提供一第二能量至该金属-氧化物存储元件，且该第二 能量小于该第一能量。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

该活化调整偏压包括一穿越该金属-氧化物存储元件的第一脉冲，该第 一脉冲具有一脉冲宽度与一脉冲高度；以及

该第二调整偏压包括一穿越该金属-氧化物存储元件的第二脉冲，该第 二脉冲具有一脉冲宽度与一脉冲高度，且该第二脉冲的该脉冲高度小于该 第一脉冲的该脉冲高度。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，该第一及第二脉冲分 别具有一穿越该金属-氧化物存储元件的电压极性，且该第一脉冲的该电压 极性与该第二脉冲的该电压极性相同。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，该第一调整偏压包括 一穿越该金属-氧化物存储元件的第三脉冲，该第三脉冲具有一脉冲宽度与 一脉冲高度，且该第三脉冲的该脉冲高度小于该第一脉冲的该脉冲高度。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：

该第一及第二脉冲具有一穿越该金属-氧化物存储元件的第一电压极 性；以及

该第三脉冲具有一穿越该金属-氧化物存储元件的第二电压极性，且该 第二电压极性与该第一电压极性相反。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，该第一、第二及第三 脉冲穿越该金属-氧化物存储元件的电压极性相同。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，该第三脉冲的该脉冲 宽度大于该第二脉冲的该脉冲宽度。

12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，该第一、第二及第三 脉冲的脉冲宽度相同。

13.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：

该第一脉冲的该脉冲高度大于一耦接至该存储装置的供应电压；以及

该第二脉冲的该脉冲高度小于耦接至该存储装置的该供应电压。