[发明专利]检测等离子体非约束的方法和装置

权利要求书

1.一种检测斜角边沿清洁操作过程中反应室内的等离子体非约 束的方法，该方法包含：

选定与斜角边沿清洁工艺的期望副产品有关的波长；

由被约束在紧邻该斜角边沿的区域内的等离子体清洁基 板的该斜角边沿；

在该清洁操作过程中，监视源自该室内的该选定的波长 对一波长强度值的偏离，该偏离是基于在一段时间内测得的最 大波长信号减去最小波长信号并除以平均波长信号所得到的 结果；以及

如果对该波长强度值的该偏离超过目标偏离，则终止该 清洁，其中对该波长强度值的该偏离超过该目标偏离指示了该 等离子体延伸到紧邻该斜角边沿区域的区域之外的无约束状 态。

2.根据权利要求1所述的方法，其中该副产品包括氟化硅和一氧 化碳。

3.根据权利要求1所述的方法，其中通过该反应室的石英窗在外 部监视该波长。

4.根据权利要求1所述的方法，其中清洁该斜角边沿包括激发紧 邻该基板的外围边沿的等离子体。

5.根据权利要求4所述的方法，其中该等离子体是CF₄基等离子 体。

6.根据权利要求4所述的方法，其中惰性气体流经该反应室的中 央区域并流向该斜角边沿。

7.一种防止边沿清洁工艺过程中反应室内基板边沿区域的等离 子体非约束的方法，该方法包含：

在处理室中处理半导体基板，该处理在该基板的外围边 沿沉积副产品；

执行边沿清洁工艺以去除该沉积的副产品，该边沿清洁 工艺包括,

激发约束于紧邻该基板的该外围边沿的区域内的等 离子体；

监视该等离子体约束于紧邻该外围边沿的区域，该 监视通过该反应室的窗实施，该监视包括，

在该边沿清洁工艺中跟踪源自该室内的波长信 号；及

根据跟踪到的波长信号的波动确定该等离子体 是否保持约束在所述紧邻该外围边沿的区域，其中，根据跟踪 到的波长信号的波动确定该等离子体是否保持约束在所述紧 邻该外围边沿的区域的步骤包括：

在一个时间段内跟踪该波长信号的偏离；

确定该时间段内的最大波长信号，最小波 长信号和平均波长信号；

用该最大波长信号减去该最小波长信号， 并除以该平均波长信号并得到结果；及

将该结果与阈值比较，以确定该等离子体 在该时间段内是否约束。

8.根据权利要求7所述的方法，其中该副产品包括氟化硅和一氧 化碳。

9.根据权利要求7所述的方法，其中通过集成在该反应室内的光 谱仪传感器在该室内部监视该波长。

10.根据权利要求7所述的方法，其中该处理室是刻蚀室。

11.根据权利要求7所述的方法，其中该等离子体是CF4基等离子 体。

12.根据权利要求7所述的方法，其中在该边沿清洁工艺中，惰性 气体流经该反应室的中央区域并流向该外围边沿。

13.根据权利要求7所述的方法，其中如果该结果大于该阈值，则 终止该边沿清洁工艺。