[发明专利]研磨垫有效
| 申请号: | 200910135488.8 | 申请日: | 2006-05-10 |
| 公开(公告)号: | CN101530988A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
| 发明(设计)人: | 数野淳;小川一幸;中森雅彦;山田孝敏;下村哲生 | 申请(专利权)人: | 东洋橡胶工业株式会社 |
| 主分类号: | B24D3/00 | 分类号: | B24D3/00;B24D13/14;B24B37/04;H01L21/304;C08G18/10;C08G101/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 研磨 | ||
1.一种研磨垫,其具有由具有微细气泡的聚氨酯树脂发泡体构成的 研磨层,其特征在于,
作为所述聚氨酯树脂发泡体的原料成分的高分子量多元醇成分是数 均分子量为600~700的疏水性高分子量多元醇,且所述聚氨酯树脂发泡 体含有不具有羟基的硅系非离子表面活性剂10~15重量%,所述聚氨酯树 脂发泡体的比重是0.7~0.8,阿斯卡D硬度是55~65度。
2.根据权利要求1所述的研磨垫,其中,
所述聚氨酯树脂发泡体是异氰酸酯末端预聚物和链延长剂的反应固 化体,且所述异氰酸酯末端预聚物含有所述疏水性高分子量多元醇和异氰 酸酯成分作为原料。
3.根据权利要求1所述的研磨垫,其中,
疏水性高分子量多元醇是聚酯多元醇。
4.根据权利要求1所述的研磨垫,其中,
疏水性高分子量多元醇是聚四亚甲基二醇。
5.根据权利要求2所述的研磨垫,其中,
异氰酸酯成分是芳香族二异氰酸酯及脂环族二异氰酸酯。
6.根据权利要求5所述的研磨垫,其中,
芳香族二异氰酸酯是甲苯二异氰酸酯,脂环族二异氰酸酯是二环己基 甲烷二异氰酸酯。
7.根据权利要求2所述的研磨垫,其中,
链延长剂是芳香族二胺。
8.根据权利要求7所述的研磨垫,其中,
芳香族二胺是非卤素系芳香族二胺。
9.根据权利要求1所述的研磨垫,其中,
聚氨酯树脂发泡体的拉伸强度是15~25MPa。
10.根据权利要求1所述的研磨垫,其中,
聚氨酯树脂发泡体的拉伸断裂伸长是25~100%。
11.一种研磨垫的制造方法,其包括:混合含有异氰酸酯末端预聚物 的第一成分、和含有链延长剂的第二成分并固化,从而制造聚氨酯树脂发 泡体的工序(1),其特征在于,
所述工序(1)是如下所述的工序,即:在含有异氰酸酯末端预聚物 的第一成分中添加不具有羟基的硅系非离子表面活性剂,并且使所述不具 有羟基的硅系非离子表面活性剂在聚氨酯树脂发泡体中为10~15重量%, 进而将所述第一成分与非反应性气体搅拌,并使所述非反应性气体作为微 细气泡分散,从而配制气泡分散液,然后在所述气泡分散液中混合含有链 延长剂的第二成分并固化,从而制造聚氨酯树脂发泡体,
作为所述异氰酸酯末端预聚物的原料成分的高分子量多元醇成分是 数均分子量为600~700的疏水性高分子量多元醇。
12.一种研磨垫,其利用权利要求11所述的方法制造。
13.一种半导体器件的制造方法,其包括:使用权利要求1所述的研 磨垫研磨半导体晶片的表面的工序。
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