[发明专利]具有空洞部的电路基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及具有空洞部的电路基板及其制造方法，特别是涉及使用两个基板而在其间构成空洞部的具有空洞部的电路基板及其制造方法。 

背景技术

图7表示把IC芯片埋入到基板中的高密度安装基板。 

该安装基板包括：第一基板100、第二基板200、第三基板300、IC芯片400、导电性连接部件500和封固部件600。第一基板100、第二基板200和第三基板300是印刷基板，并形成有希望的配线图形。第一基板100和第二基板200被贴合，且在一个的外表面形成有具有能够收容IC芯片400的底面积和深度的凹部。IC芯片400被所述凹部收容，利用由焊接等金属突起构成的导电性连接部件500而与凹部的底面连接。为了保持机械强度和保护IC芯片400而由环氧树脂等封固部件600进行封固。然后把第三基板300层合在所述凹部侧而形成所述凹部被密封的多层印刷基板(参照图8)。即，在由第一基板100、第二基板200和第三基板300构成的三层结构贴合(层合)多层印刷基板中，仅是中层的第二基板200形成有冲孔部700，IC芯片400被埋入该冲孔部。 

最近，被叫做硅(MEMS)话筒的把成为振动板的膜片向硅基板组装的小型话筒被普及。MEMS是Micro-Electro-Mechanical-System的略称。 

图8表示硅(MEMS)话筒的一例。包括：周围残留的硅基板51、向硅基板51的圆形贯通孔粘贴的由金属膜构成的膜片52、与膜片52相对并经由空气间隙53而把背板电极54设置在表面的背板55、硅基板51上的与膜片52连接的焊盘56、与背板电极54连接的焊盘57。 

利用由膜片52和背板电极54形成的电容器的容量变化来检测膜片52的振动，由CMOSIC再现。 

图9说明安装结构。向印刷基板61上组装硅(MEMS)话筒62和CMOSIC63，把整体由箱形壳体64收容。靠近硅(MEMS)话筒膜片52并且在壳体64必须设置音孔65，以从外部把声音传递到膜片52。CMOSIC63和硅(MEMS)话筒用接合线而与印刷基板61的配线连接。 

专利文献1：特开平09-321438号公报 

但上述现有的安装基板为了使用多层安装基板并在其间形成空洞，使被夹在中间的基板形成冲孔部是简便的方法，但为了形成冲孔部就必定需要三块基板，因此有难于把具有空洞的安装基板小型化的问题点。 

在组装有上述硅(MEMS)话筒等的情况下必须有取入声音的音孔，但由于是使用壳体来安装，所以有不能提高安装密度的问题点。 

发明内容

本发明鉴于这些问题点而具备：上基板、由所述上基板表面的所述导电箔形成的任意第一电路图形、所述上基板的背面设置的粘接片、下基板、由所述下基板表面的所述导电箔形成的任意第二电路图形、把所述下基板背面的所述导电箔除去而形成的空洞和在其周围设置的绝缘层、粘接所述上基板背面的所述粘接片与所述下基板背面的所述绝缘层而被所述上基板、所述下基板和所述绝缘层包围的空洞部、连接所述上基板的所述第一电路图形与所述下基板的所述第二电路图形的通孔电极。 

根据本发明，在所述空洞部设置把所述上基板或所述下基板贯通的贯通孔。 

且根据本发明，在所述贯通孔之上配置电路元件的膜片。 

根据本发明的制造方法而具备：准备两面设置有导电箔的上基板的工序、把所述上基板一侧的所述导电箔进行蚀刻以形成预定的空洞图形的工序、准备两面设置有导电箔的下基板的工序、把所述下基板一侧的所述导电箔进行蚀刻以残留成为预定空洞部的部分的工序、把所述下基板的成为所述预定空洞部部分的所述导电箔周围用绝缘层填充并把成为所述预定空洞部部分的所述导电箔进行蚀刻以形成所述空洞部的工序、向所述上基板的所述预定空洞图形的周围附着粘接层的工序、把所述上基板和下基板用所述粘接层贴合而形成所述空洞部的工序。