[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 200910132972.5 申请日: 2009-04-03
公开(公告)号: CN101552259A 公开(公告)日: 2009-10-07
发明(设计)人: 津田浩嗣 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L23/525 分类号: H01L23/525;H01L23/528
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

基板;以及

第一电熔丝和第二电熔丝,提供在所述基板上,其中

所述第一电熔丝具有:

第一上层布线和第一下层布线,形成在不同的布线层中;以及

通孔,用于连接所述第一上层布线和所述第一下层布线,

所述第二电熔丝具有:

第二上层布线和第二下层布线,形成在不同的布线层中;以及

通孔,用于连接所述第二上层布线和所述第二下层布线,

所述半导体装置包括用于将所述第一电熔丝的所述第一上层布线 连接到所述第二电熔丝的所述第二下层布线的连接部,以及

所述第一电熔丝和所述第二电熔丝经由所述连接部串联连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述连接部是用于将 所述第一电熔丝的所述第一上层布线连接到所述第二电熔丝的所述第 二下层布线的通孔。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中

所述第一电熔丝的所述第一下层布线和所述第二电熔丝的所述第 二下层布线提供在相同的布线层中,以及

所述第一电熔丝的所述第一上层布线和所述第二电熔丝的所述第 二上层布线提供在相同的布线层中。

4.根据权利要求2所述的半导体装置,其中提供多个通孔作为所 述连接部。

5.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述第一电熔丝和所 述第二电熔丝的通孔具有相同的直径。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中作为所述连接部的通 孔的直径大于所述第一电熔丝和所述第二电熔丝的通孔的直径。

7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一电熔丝的所 述第一上层布线、所述第二电熔丝的所述第二下层布线以及所述连接 部提供在相同的布线层中。

8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中

流出的流出部形成在所述第一上层布线和所述第一下层布线之一 中,并且当所述第一电熔丝被切断时,所述第一上层布线和所述第一 下层布线中的另一个与通孔之间、或者在所述通孔中形成间隔,以及

流出的流出部形成在所述第二上层布线和所述第二下层布线之一 中,并且当所述第二电熔丝被切断时,在所述第二上层布线和所述第 二下层布线中的另一个与通孔之间、或者在所述通孔中形成间隔。

9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中

所述第一电熔丝的通孔将所述第一上层布线的端部连接到所述第 一下层布线的端部,以及

所述第二电熔丝的通孔将所述第二上层布线的端部连接到所述第 二下层布线的端部。

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