[发明专利]检测用凸块结构、显示面板及其芯片压合状态的检测方法有效

专利信息
申请号: 200910132955.1 申请日: 2009-04-03
公开(公告)号: CN101510540A 公开(公告)日: 2009-08-19
发明(设计)人: 黄柏辅;陈盈成;曾堉 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L23/482;H01L21/50;H01L21/66;H01L21/48;G09F9/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 冯志云;郑特强
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 检测 用凸块 结构 显示 面板 及其 芯片 状态 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种检测用凸块结构、制作检测用凸块结构的方法、显示面板以及检测显示面板的芯片压合状态的方法,尤指一种显示面板,其具有递减的水平截面面积设计的检测用凸块结构,可量化出显示面板的芯片压合状态的结果。

背景技术

COG(chip on glass)技术是指将芯片直接与玻璃基板上的连接垫接合的技术,而由于COG技术具有低成本的优势,因此目前已广泛地应用在显示面板的芯片接合制作中。现有的COG技术主要包括使用金属焊接与异方性导电胶(ACF)两种方式,然而在线路布局的密度不断提高的状况下,上述两种COG技术具有布局密度上的限制,容易产生短路问题。

近来,提出了使用非导电性胶接合芯片与显示面板的技术,然而在进行导电凸块与连接垫的压合工序时,使用非导电性胶接合芯片与显示面板的技术不易判断出导电凸块与连接垫的接合状况,因此其合格率与可靠度均有待进一步提升。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种检测用凸块结构及制作检测用凸块结构的方法、具有检测用凸块结构的显示面板、以及检测显示面板的芯片压合状态的方法,以提升压合过程的合格率与显示面板的可靠度。

为达到上述目的,本发明提供一种检测用凸块结构。上述检测用凸块结构设置于芯片上,且该检测用凸块结构包括基座与反光薄膜。基座设置于芯片的表面,该基座在受挤压时可产生形变,并且该基座具有底部、顶部与侧面,且基座由底部至顶部具有递减的水平截面面积。反光薄膜设置于基座的顶部与侧面。

为达到上述目的,本发明提供一种具有检测用凸块结构的显示面板。上述显示面板包括透光基板、芯片以及非导电性胶体。透光基板包括检测区。芯片包括检测用凸块结构,该检测用凸块结构对应于透光基板的检测区。检测用凸块结构包括基座与反光薄膜。基座设置于芯片的表面,该基座在受挤压时可产生形变,并且该基座具有底部、顶部与侧面,且基座由底部至顶部具有递减的水平截面面积。反光薄膜设置于基座的顶部与侧面。非导电性胶体将芯片黏着于透光基板上。基座的顶部的反光薄膜通过非导电性胶体与芯片的黏着而压合于透光基板的表面。

为达到上述目的,本发明提供一种检测显示面板的芯片压合状态的方法,该方法包括下列步骤:

提供透光基板,其包括检测区;

提供芯片,芯片包括检测用凸块结构,检测用凸块结构包括:

基座,设置于芯片的表面,基座具有底部、顶部与侧面,且基座由

底部至顶部具有递减的水平截面面积;以及

反光薄膜,设置于基座的顶部与侧面;

将芯片的检测用凸块结构对应透光基板的检测区,再利用非导电性胶体将芯片黏着于透光基板的正面,并对芯片进行压合加工,以使检测用凸块结构的基座产生形变;以及

执行检测过程,由透光基板的背面观察位于基座的顶部的反光薄膜的面积,以判断压合过程的压合效果。

为达到上述目的,本发明提供一种制作检测用凸块结构的方法,包括下列步骤:

提供芯片;

在芯片上形成感光性材料层;

利用灰阶掩模对感光性材料层进行曝光及显影处理,以形成基座,其中该基座在受挤压时可产生形变,并且该基座具有底部、顶部与侧面,且基座由底部至顶部具有递减的水平截面面积;以及

在基座的顶部与侧面形成反光薄膜。

本发明利用具有递减的水平截面面积设计的检测用凸块结构,可量化出压合过程的结果,由此确认导电凸块结构与连接垫的压合是否有效,从而可避免压合过度或压合不足的问题,因此可有效提升压合过程的合格率与显示面板的芯片接合结构的可靠度。

附图说明

图1至图3为本发明一优选实施例制作检测用凸块结构的方法的示意图。

图4为本发明另一优选实施例的检测用凸块结构的示意图。

图5至图7示出了本发明一优选实施例的一种检测显示面板的芯片压合状态的方法。

其中,附图标记说明如下:

10   芯片            12    感光性材料层

14   灰阶掩模        16    基座

16A  底部            16B   顶部

16C  侧面            18    反光薄膜

30   透光基板        30A   焊接区

30B  检测区          32    连接垫

40   芯片            42    导电凸块结构

42A  基座            42B   导电薄膜

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