[发明专利]半导体装置及使用了该半导体装置的能量传递装置

权利要求书

1、一种半导体装置，具备含有开关元件和JFET元件的高耐压半导体元件，其中，

所述高耐压半导体元件具备：形成在第一半导体基板的表面的第一导电型的漂移区域；

在所述第一半导体基板的表面与所述漂移区域相邻形成的第二导电型的基极区域；

在所述基极区域的表面与所述漂移区域分离形成的第一导电型的源极区域；

形成在所述源极区域与所述漂移区域之间的所述基极区域上的栅极绝缘膜；

在所述漂移区域的表面与所述基极区域分离形成的区域；

在所述漂移区域的表面与所述区域分离形成的第一导电型的第二漏极区域；

形成在所述第一半导体基板上，与所述基极区域及所述源极区域电连接的源电极；

形成在所述栅极绝缘膜上的栅电极；

形成在所述第一半导体基板上，与所述区域电连接的电极；和

形成在所述第一半导体基板上，与所述第二漏极区域电连接的第二漏电极；

所述第二漏电极与在第二半导体基板的表面上形成的第二导电型的逆电流防止层电连接，

所述逆电流防止层被形成在所述第二半导体基板中的第一导电型的阱层覆盖。

2、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述区域是第一导电型的第一漏极区域，

所述电极是第一漏电极。

3、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一半导体基板与所述第二半导体基板独立形成。

4、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一半导体基板与所述第二半导体基板共同形成。

5、根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一半导体基板的导电型是第二导电型，

所述高耐压半导体元件还具备：在所述基极区域与所述第一漏极区域之间的所述漂移区域的表面和所述第一漏极区域分离形成，并与所述基极区域电连接的第二导电型的第一顶上半导体层。

6、根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一半导体基板的导电型是第二导电型，

所述高耐压半导体元件还具备：在所述基极区域与所述第一漏极区域之间的所述漂移区域中和所述第一漏极区域分离形成，并与所述基极区域电连接的第二导电型的第一内部半导体层。

7、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述区域是第二导电型的集电极区域，

所述电极是集电极电极，

所述集电极电极与所述集电极区域电连接。

8、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述区域包括：第二导电型的集电极区域、和与该集电极区域相邻的第一导电型的第一漏极区域，

所述电极是集电极/漏电极，

所述集电极/漏电极与所述集电极区域及所述第一漏极区域电连接。

9、一种能量传递装置，具备：权利要求1～8中任意一项所述的半导体装置；

半导体集成电路，其具备含有所述逆电流防止层及所述阱层的逆电流防止二极管、和对反复开闭主电流的所述半导体装置的开闭进行控制的控制电路；

直流电压源；和

变压器；

所述变压器含有：与所述半导体装置及所述直流电压源串联连接的初级绕组、和与负载连接的第一次级绕组，

从所述变压器的所述第一次级绕组向所述负载供给电力，

所述半导体装置的所述第二漏电极与所述半导体集成电路的所述逆电流防止层电连接。

10、根据权利要求9所述的能量传递装置，其特征在于，

所述变压器还包含与所述控制电路连接的第二次级绕组，

从所述变压器的所述第二次级绕组向所述控制电路供给电力。

11、根据权利要求9所述的能量传递装置，其特征在于，

所述逆电流防止二极管还含有：在所述阱层的表面与所述逆电流防止层分离形成的第一导电型的阴极接触区域；

形成在所述第二半导体基板上，与所述逆电流防止层电连接的阳极电极；和

形成在所述第二半导体基板上，与所述阴极接触区域电连接的阴极电极；

所述阳极电极与所述半导体装置的所述第二漏电极连接。