[发明专利]具有区域凸块的覆晶封装结构及其楔形接合方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有区域凸块的覆晶封装结构及其楔形接合方法，可轻易制作出较大尺寸的区域凸块，借此以提升覆晶封装结构的导电效率及散热效率。

背景技术

覆晶接合技术目前广泛应用于半导体封装领域上，具有缩小封装尺寸及缩短讯号传导路径的优点，另外，常见应用覆晶接合技术的芯片封装结构包括有覆晶球格阵列(FCBGA)与覆晶针格阵列(FCPGA)。

图1A及图1B为现有的具有线柱形凸块的芯片俯视立体图及覆晶封装结构的结构示意图。

覆晶封装结构100包括有一芯片11、一基板13及数个线柱形凸块15。其中芯片11包括有一芯片接合垫111及一主动面112，并且该芯片接合垫111设置在芯片11的主动面112上。

基板13包括一图样面132，该图样面132具有数个导线布局的图样。此外，线柱形凸块15电性连接于芯片接合垫111与图样面132间，致使芯片11所产生的讯号将透过线柱形凸块15电性传导至基板13上。

就现有的覆晶封装结构100而言，芯片11的芯片接合垫111是透过线柱形凸块15电性连接至基板13上。由于，线柱形凸块15是经由一金线热声波接合技术(gold wire thermal-sonic bonding technology)所制作而成，其制作价格比一般晶圆凸块技术(wafer bumping technology)还要低。然而，线柱形凸块15是采用线球形接合技术(wire ball bonding technology)制作凸块的形状及尺寸，因此线柱形凸块15只能被制作为圆形态样，并且无法制作出较大尺寸的凸块。如此，当覆晶封装结构100需要一较低阻值的接触电阻及更佳的散热效率时，这受限形状的线柱形凸块15将会因此限制到覆晶封装结构100对于导电效率及散热效率提升的目的。

发明内容

本发明的主要目的，在于提供一种具有区域凸块的覆晶封装结构及其楔形接合方法，其可依照芯片特殊的电性需求，而将区域凸块设计成任何所需的矩形凸块尺寸。

本发明的次要目的，在于提供一种具有区域凸块的覆晶封装结构及其楔形接合方法，其区域凸块容易形成较大的尺寸面积，致使减少芯片及基板间的接触电阻以及增加芯片及基板间的接触面积，借此以提升覆晶封装结构的导电效率及散热效率。

为达成上述目的，本发明提供一种具有区域凸块的覆晶封装结构，其结构包括有：一基板，包括一图样面；一芯片，包括有一主动面及一背面，一第一芯片接合垫及一第二芯片接合垫设置在主动面上；一第一区域凸块，连接第一芯片接合垫及图样面；及一第二区域凸块，连接第二芯片接合垫及图样面。

本发明另提供一种具有区域凸块的覆晶封装结构，其结构包括有：一基板，包括一图样面；一芯片，包括有一主动面及一背面，一芯片接合垫设置在主动面上；及一区域凸块，电性连接芯片接合垫及图样面；其中，区域凸块是楔形接合的。

本发明还提供一种在芯片上形成区域凸块的楔形接合方法，其步骤包括有：提供一金属线；利用楔形的方式结合该金属线在一芯片的一芯片接合垫上，借此以形成一楔形接合；及切断该金属线与该楔形接合间的连接以形成一区域凸块。

本发明还提供所述的具有区域凸块的覆晶封装结构在功率晶体管上的应用。

附图说明

图1A为现有的具有线柱形凸块的芯片俯视立体图；

图1B为现有的覆晶封装结构的结构示意图；

图2A为本发明一较佳实施例的具有区域凸块的芯片俯视立体图；

图2B为本发明一较佳实施例的覆晶封装结构的结构示意图；

图3A为本发明另一实施例的具有区域凸块的芯片俯视立体图；

图3B为本发明另一实施例的覆晶封装结构的结构示意图；

图4为本发明一楔形接合方法的楔形结合装置的结构示意图；

图5A至图5B为本发明一楔形接合方法的接合处理的步骤流程图。

附图标记说明：100-覆晶封装结构；11-芯片；111-芯片接合垫；112-主动面；13-基板；132-图样面；15-线柱形凸块；200-覆晶封装结构；21-芯片；211-芯片接合垫；212-主动面；23-基板；232-图样面；25-区域凸块；300-覆晶封装结构；31-芯片；311-第一芯片接合垫；312-主动面；313-第二芯片接合垫；314-背板面；315-电极层；33-基板；332-图样面；35-第一区域凸块；36-第二区域凸块；40-楔型结合装置；41-金属线；411-楔形接合；413-颈端；42-夹具；421-通道；43-超音波传感器；44-楔形接合工具；45-切割器。

具体实施方式