[发明专利]用于为互连焊盘提供结构支撑同时允许信号传导的方法和装置有效
| 申请号： | 200910132108.5 | 申请日： | 2005-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101556945A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 凯文·J·埃斯;苏珊·H·唐尼;詹姆斯·W·米勒;杨俊才 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘光明;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 互连 提供 结构 支撑 同时 允许 信号 传导 方法 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种在互连焊盘区域中形成的互连焊盘结构，包括：
基板，具有在其中形成的半导体器件；和
多个传导层，其中：
多个传导层中的每个传导层在互连焊盘区域中位于基板上 面；
多个传导层中的每个传导层同具有小于80Gpa模量的介电 材料接触；以及
多个传导层是通过互连焊盘区域的预定部分上的垂直对准槽 形成的，足以提供关于互连焊盘结构的机械支撑。
2.如权利要求1所述的互连焊盘结构，进一步包括：
介电层，其位于多个传导层中的最上面的传导层上面，所述介电 层包括在所述介电层区域中不具有金属密度的区域，由此没有金属穿 过所述介电层的任何开口，所述区域占互连焊盘区域的至少50％；和
传导互连焊盘层，其位于所述介电层上面。
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