[发明专利]发光二极管的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，特别涉及发光二极管的制造方法。

背景技术

中国台湾专利公报公告第266434号的「铟锡氧化层表面粗糙化以及发光二极管组件的制造方法」，此篇专利内容是一种发光二极管组件的制造方法，包括：提供一基板，且所述基板上已依序形成有一N型半导体层、一主动层、一P型半导体层与一透明导电层；图案化所述透明导电层、所述P型半导体层、所述主动层与所述N型半导体层，以暴露出部分所述N型半导体层；对所述透明导电层进行一热处理制程；于所述透明导电层的表面，进行一等向性刻蚀制程；以及分别于所述透明导电层与暴露出的部分所述N型半导体层上形成一第一电极与一第二电极，此篇专利记载的发光二极管制造方法对所述透明导电层进行表面粗化。

如中国台湾专利公报公告第296476号的「高发光率之覆晶式发光二极管」，此篇专利内容是一种高发光率的覆晶式发光二极管，其主要结构包含：一透明基板；一半导体层，其是设于所述透明基板上方，且包含一N型半导体层、一主动层及一P型半导体层，其中，所述主动层介于所述N型半导体层与所述P型半导体层之间；一透明导电层，其是设于所述P型半导体层上方且电性连接所述P型半导体层；一氧化层，其是设于所述透明导电层上方；一金属反射层，其是设于所述氧化层上方；一导电层，其是设于所述氧化层的一适当位置处，以电性连接所述透明导电层与所述金属反射层；一扩散保护层，其是设于所述金属反射层上方且电性连接所述金属反射层；一第一电极，其是设于所述半导体层的所述N型半导体层上方且电性连接所述N型半导体层；一导热基板，所述导热基板的表面具有第一金属接和层及第二金属接和层；其中，所述发光二极管的第一电极与所述扩散保护层是朝向所述导热基板，分别同第一金属接和层与第二金属接和层电性连接。

中国台湾专利公报公告第6071795号的「发光二极管」，此篇专利内容是一种发光二极管结构，包括：一基板，具有一表面以及多个位于所述表面上的圆柱状光子晶体；一第一型掺杂半导体层，配置于所述基板上以覆盖所述光子晶体；一主动层，配置于部分的所述第一型掺杂半导体层上；一第二型掺杂半导体层，配置于所述主动层上；一第一电极，配置于未覆盖有所述主动层的部分所述第一型掺杂半导体层上；以及一第二电极，配置于所述第二型掺杂半导体层上，此篇专利特征在于基板上设有光子晶体。

虽利用上述的常见技术可制造出发光二极管，但如中国台湾专利公报公告第266434号的专利，虽已粗化所述透明导电层，但传统的发光二极管的厚度介于80μm与90μm之间，该篇专利没增加其整体的厚度，因此于黏晶制程时会产生应力问题；如中国台湾专利公报公告第296476号的专利，没在半导体层的表面及基板的背面作表面粗化；及如中国台湾专利公报公告第6071795号的专利虽于基板上设有光子晶体，但没于所述第二型掺杂半导体层及基板背面进行表面粗化，如此上述两篇专利无法增加所述发光二极管侧向光的输出，故现有常见技术无法符合使用者于实际使用时之所需。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供发光二极管的制造方法，增加发光二极管侧向光的输出，并使其在进行黏晶制程(die bond)时可避免应力问题。

为解决上述技术问题，本发明提供的一种发光二极管的制造方法，采用的技术方案是，先取一基板，接着形成一光子晶体结构于所述基板上，再形成一外延结构于所述光子晶体结构上，最后于所述外延结构的表面利用刻蚀制程或研磨制程进行表面粗化。

其中所述基板是选自Al₂O₃、SiC、GaAs、GaN、AlN、GaP、Si、ZnO、MnO或上述的任意组合之一，而其厚度是介于100μm与450μm之间，所述外延结构是依序包含一缓冲层、一N型半导体层、一主动层及一P型半导体层，上述基板、光子晶体结构与所述外延结构堆栈厚度是介于100μm与500μm之间。

为解决上述技术问题，本发明提供的另一种发光二极管的制造方法，采用的技术方案是，先取一基板，所述基板包含一第一表面及一第二表面，接着形成一光子晶体结构于所述基板的第一表面上，再形成一具N型半导体层及P型半导体层的外延结构于所述光子晶体结构上，然后刻蚀所述外延结构，使所述外延结构的N型半导体层局部暴露，接着于所述外延结构的P型半导体层的表面及所述基板第二表面进行表面粗化，所述基板、光子晶体结构及外延结构的堆栈厚度是介于100μm与500μm之间，于经表面粗化的P型半导体层的表面上形成一透明导电层，再分别于所述透明导电层及部分暴露的N型半导体层上设置一第一电极及一第二电极。