[发明专利]具有过载保护的交流发光二极管结构

权利要求书

1.一种具有过载保护的交流发光二极管结构，其特征在于其包括：

至少一交流发光二极管；

至少一散热单元，其承载并且导热连接该交流发光二极管；以及

至少一过载保护单元，其串联于该交流发光二极管及一电源之间。

2.根据权利要求1所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所述的过载保护单元与该交流发光二极管间的距离小于3厘米。

3.根据权利要求1所述的交流发光二极管结构，其特征在于其进一步具有一导热层，其设置于该交流发光二极管与该散热单元之间。

4.根据权利要求3所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所述的导热层是一高分子介电材料。

5.根据权利要求1所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所述的过载保护单元是一导电簧片。

6.根据权利要求1所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所述的过载保护单元具有：一导电簧片，其分别与该交流发光二极管与该电源电性连接；以及一微机电单元，其结合于该导电簧片。

7.根据权利要求3所述的交流发光二极管结构，其特征在于其进一步具有：一第一电极，其电性连接该交流发光二极管与该电源；以及一第二电极，其电性连接该过载保护单元与该电源。

8.根据权利要求7所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所述的第一电极与该第二电极是设置于该导热层的一表面。

9.根据权利要求7所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所述的过载保护可为一温度控制单元。

10.根据权利要求9所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所述的温度控制单元具有：一第一导电层；一温度侦测层，其设置于该第一导电层上；以及一第二导电层，其设置于该温度侦测层上并与该交流发光二极管电性连接。

11.根据权利要求10所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所述的第二导电层与该第二电极电性连接。

12.根据权利要求10所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所述的第二导电层具有：一第三导电层，其与该交流发光二极管电性连接；以及一第四导电层，其与该第三导电层电性分离且电性连接该第二电极。

13.根据权利要求10所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所述的该交流发光二极管与该电源连接时，该温度控制单元的温度低于正温度系数特性的一触发温度。

14.根据权利要求10所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所述的温度侦测层具有一结晶性高分子材料及一导电材料。

15.根据权利要求14所述的交流发光二极管结构，其特征在于其中所述的该结晶性高分子材料的熔点介于80℃至183℃之间。