[发明专利]热式红外线固态成像装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200910130257.8 申请日: 2009-03-30
公开(公告)号: CN101545809A 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: 远山茂 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: G01J5/10 分类号: G01J5/10
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 红外线 固态 成像 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种热式红外线固态成像装置,包括:

基底,在所述基底中形成用于读出信号的集成电路;

红外线检测器,至少具有隔膜和支撑部,所述隔膜包括温度检测部,所述支撑部在所述基底的一侧的表面的上方以在其间留有空间的形式支撑所述隔膜,并且所述支撑部包括配线,所述配线用于电气地连接所述集成电路和所述隔膜的所述温度检测部;以及,

檐部,连接到所述隔膜的外周边附近,至少具有第一区域、第二区域以及第三区域,并且用于将通过吸收入射的红外线而产生的热量传输至所述隔膜,其中,所述第一区域延伸到所述隔膜外部,所述第二区域连接到所述隔膜的外周边附近,所述第三区域从所述外周边附近向上立起在半空中,

其中,所述檐部所具有的第一区域的厚度比所述第二区域和所述第三区域的厚度更厚。

2.根据权利要求1的热式红外线固态成像装置,其中,所述基底包括连同所述集成电路的连接电极,

其中,所述隔膜包括红外线吸收部、温度检测部以及电极部,所述红外线吸收部通过吸收红外线而被加热,所述温度检测部用于通过根据来自所述红外线吸收部的热量导致的温度变化来检测所述红外线吸收部的温度变化,所述电极部电气地连接到所述温度检测部,

通过传导材料使得所述配线被包含在所述支撑部的至少一部分的形成中,并且所述配线通过将所述连接电极和所述电极部相连接来电气地连接所述集成电路和所述隔膜的所述温度检测部,并且

其中,所述檐部的所述第一区域与所述连接电极和所述支撑部之间有一空间,在跨越该空间的上方,所述檐部的所述第一区域覆盖与所述连接电极和所述支撑部的基底相对的侧。

3.根据权利要求1的热式红外线固态成像装置,其中,

在所述檐部中,包括所述第一区域的薄膜层的数量大于包括所述第二区域和所述第三区域的薄膜层的数量。

4.根据权利要求3的热式红外线固态成像装置,其中,

在包括所述第一区域的薄膜的红外线入射侧上的最外膜与包括所述第二区域和所述第三区域的薄膜形成为同一层。

5.根据权利要求3的热式红外线固态成像装置,

其中,所述檐部至少在包括所述第二区域和所述第三区域的薄膜的一部分中包括牺牲层保护膜。

6.根据权利要求3的热式红外线固态成像装置,

其中,所述檐部具有由传导材料制成的并且包括所述第一区域的在所述薄膜的红外线入射侧上的最外膜。

7.根据权利要求6的热式红外线固态成像装置,

其中,所述檐部具有与空间阻抗匹配的并且包括所述第一区域的在所述薄膜的红外线入射侧上的最外膜。

8.一种热式红外线固态成像装置的制造方法,至少包括:

第一过程,在形成有用于读出信号的集成电路的并且对于所述集成电路提供有连接电极的基底上的除了所述连接电极之外的地方上布置第一牺牲层;

第二过程,形成隔膜和支撑部,所述隔膜包括在所述第一牺牲层上的温度检测部,所述支撑部包括配线,所述配线用于电气地连接所述基底的所述连接电极和所述隔膜的所述温度检测部,其中,在所述基底的一侧的表面的上方以在其间留有空间的形式来通过所述支撑部支撑所述隔膜;

第三过程,在所述基底的整个表面上设置第二牺牲层,并且另外,在所述第二牺牲层上设置用于形成檐体的第一构件;

第四过程,在所述隔膜上通过构图来去除用于形成檐体的所述第一构件和所述第二牺牲层;

第五过程,在除了外周边附近的隔膜上设置第三牺牲层;

第六过程,在所述基底的整个表面上设置用于形成檐体的第二构件;

第七过程,通过构图来去除相比于在所述隔膜的外周边附近而被设置在更内侧处的用于形成檐体的第二构件;以及

第八过程,去除所述第一牺牲层、所述第二牺牲层和所述第三牺牲层。

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