[发明专利]高频磁性材料及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及控制在高频区域的导磁率的高频磁性材料，特别涉及 可应用于在100MHz～数GHz范围的高频区域使用的磁性部件等的高 频磁性材料及其制造方法。

背景技术

近年来，作为磁性体的应用，作为电波吸收体的用途正受到关注。 例如，它是为了降低来自手机、计算机等电子设备类的噪音的发射而 利用磁性体的磁损的一种方法。

利用磁性体的磁损的电磁波吸收体通过配置在成为噪音发生源的 部件的附近，便抑制噪音的发射。在这样的情况下，为人所知的是电 波吸收特性依赖于磁性体的复数导磁率μ＝μ’-jμ”的虚数成分μ” 的大小，虚数成分μ”越大，就越具有优良的特性。

作为利用这样的磁性体的电磁波吸收体，常常是将磁性体的粉末 和树脂的混合物成型而成的。例如，在专利文献1所公开的电磁波吸 收体中，将在1～3GHz的高频区内的特定频区下的复数导磁率μ的 实数成分μ’和虚数成分μ”调整成为μ’＞μ”、且μ’≥5；并且对于 这样的具有许多微球连接成链状的形状的磁性体粉末、以及微球状磁 性体粉末之中的至少一方，在个别地由电绝缘材料进行绝缘的状态下， 使许多磁性体粉末聚集在一起而实现一体化，从而制作出电波吸收体。

但是，在该方法中，由于对磁性体粉末之间进行了电绝缘，所以 难以得到在超过数百MHz的高频下的优良的电波吸收特性。另外，从 专利文献1所使用的磁性粒子的磁各向异性较小的角度考虑，同样地 在高频下的电波吸收方面存在极限。

另外，在专利文献2等示出的电波吸收的方法中，由于为赋予磁 性粒子以磁各向异性而使用扁平状的磁性粒子，所以使与较高频的协 调成为可能。但是，当制造扁平粒子时在尺寸上存在极限，在超过数 百MHz那样的高频下的电波吸收特性较低。

而且专利文献3公开了一种采用磁性体粒子连续的网络结构、由 此使塑性优良的磁性体。

专利文献1：日本特开2004-128001号公报

专利文献2：日本特开平10-106814号公报

专利文献3：日本特开2007-8762号公报

发明内容

本发明就是考虑到上述的情况而进行的，其目的在于提供一种在 高频区电波吸收特性优良的高频磁性材料及其制造方法。

本发明的高频磁性材料的特征在于：具有至少含有金属纳米粒子 的磁性体，所述金属纳米粒子是含有Fe、Co、Ni之中的至少1种的磁 性金属；所述金属纳米粒子的平均粒径小于等于200nm；在所述磁性 体内形成有具有所述金属纳米粒子连续的网络状结构且平均直径小于 等于10μm的第1簇(cluster)；在所述磁性体内形成有具有所述第1 簇连续的网络状结构且平均直径小于等于100μm的第2簇；所述磁 性体具有所述第2簇连续的网络状结构。

在此，优选所述金属纳米粒子之间以电介质填充。

在此，优选所述金属纳米粒子的一部分以氧化物包覆。

在此，优选所述金属纳米粒子的一部分以氧化物包覆，所述金属 纳米粒子含有非磁性金属，而且所述氧化物含有所述非磁性金属之中 的至少1种的非磁性金属的氧化物。

在此，优选所述金属纳米粒子含有C(碳)、N(氮)之中的至少 1种。

在此，优选所述金属纳米粒子的晶体磁各向异性大于等于23.9× 10³A/m。

在此，优选所述磁性体的电阻率为1mΩ·cm～100kΩ·cm，其 中特别是10m·cm～10kΩ·cm，而且所述磁性体复数导磁率的实 数成分μ’在1GHz下大于等于3。

本发明的高频磁性材料的制造方法的特征在于：具有形成金属纳 米粒子的金属纳米粒子形成工序、以及至少压缩成型所述金属纳米粒 子的压缩成型工序。

在此，优选在所述金属纳米粒子形成工序之后、所述压缩成型工 序之前，还具有混合所述金属纳米粒子和树脂的混合工序。

在此，优选在所述金属纳米粒子形成工序之后、所述压缩成型工 序之前，还具有以氧化物包覆所述金属纳米粒子的一部分的工序。

根据本发明，可以提供在高频区的电波吸收特性优良的高频磁性 材料及其制造方法。

附图说明

图1是实施方式的高频磁性材料的示意剖视图。