[发明专利]一种变阶次多阶游程受限调制编码方法

说明书

技术领域

本发明涉及数字存储技术领域，特别是涉及一种变阶次多阶游程 受限调制编码方法。

背景技术

现有的数字光盘产品都是将信息转换成二进制数据，并将二进制 数据以某种调制方式与存储介质记录符的两种不同物理状态相对应， 实现数据存储，这类存储方式称为二值存储。目前的只读光盘存储技 术所采用的都是二值存储方式，根据反射光光强的高低来判断当前所 对应的位置是“坑”(Pit)或者“岸”(Land)，每个记录单元上可以 记录两个状态数，也就是正好对应1位(bit)的信息。

常规的二值存储光盘都采用游程长度受限的编码方案，即RLL (Run Length Limited，游长受限)编码。RLL是指光盘所存储的通 道序列满足以下条件：在该序列的两个‘1’之间最少有d个‘0’， 最多有k个‘0’。d和k这两个参数分别规定了可能出现在序列中的 最小和最大的游程。参数d控制着最高传输频率，因此可能影响序列 通过带限信道传输时的码间串扰。在二进制数据传输中，通常希望接 收到的信号是能够自同步的。同步通常利用一个锁相环来再现。锁相 环依照接收到的波形的跳变来调整检测时刻的相位。最大游程参数k 确保适当的跳变频率以满足读取时钟同步的需要。

多阶存储技术是相对二值存储提出的。如果将数据流调制成M 进制数据(M＞2)，并将调制后的M进制数据与记录介质的M种不 同物理状态以及读出信号相对应，即可实现M阶存储。M阶存储在 一个信息记录斑的位置上可以存储log₂(M)比特数据，因此当M大于 2时，每个记录单元上可以记录超过1比特的信息，并且数据传输率 同时得到了提高。多阶存储是在不改变激光波长和光学数值孔径的情 况下，能显著提高存储容量和数据传输率的一种新型技术。因此多阶 存储系统与目前的光存储系统具有很好的兼容性。

而目前的多阶存储又可以分为定长度多阶存储和游长受限多阶 存储。定长多阶存储的信息符长度恒定，靠读出信号的幅值来存储信 息。游长受限多阶存储信息符长度和读出信号幅值都发生改变，信息 符的长度和幅值都能存储信息。相比定长度多阶存储，游长受限多阶 存储能够实现更大的存储容量。现有公开的多阶游长受限存储是通过 改变整个坑点的深度和(或)宽度来实现的。

发明内容

本发明要解决的问题是提供一种变阶次多阶游程受限调制编码 方法，以实现在与普通光盘存储系统具有良好的系统兼容性的情况 下，提高光盘的存储容量。

为达到上述目的，本发明实施例的技术方案提供一种变阶次多阶 游程受限调制编码方法，所述方法包括以下步骤：使用(M，d，k) 编码方式，获得一个较高码率R的多阶游程长度受限ML-RLL编码 码流x，其中，M为特定游程的阶次，d、k分别规定了可能出现在序 列中的最小和最大的游程；对游程进行合并或分割，根据不同长度游 程分阶时的信噪比裕量，设定不同的分阶限制条件，改变所述码流x 中特定游程的阶次M限制或游程的d，k约束条件，获得更好的信道 特性的变阶次多阶游长受限VML-RLL(Variable Multilevel Run-Length Limited)码流y。

其中，在所述使用(M，d，k)编码方式，获得一个较高码率R 的ML-RLL编码码流的步骤中，取d＝0，有效地提高码率。

其中，在所述使用(M，d，k)编码方式，获得一个较高码率R 的ML-RLL编码码流的步骤中，当k较大时码率R能无限接近于1。

其中，在T短时分为2阶。

其中，在T长时分为3～7阶。

其中，在3T、4T时不分阶。

其中，游程长度的检测与阶次无关。

其中，在多分阶时，将长游程在幅值和长度方向的裕量结合，采 用信号波形调制法对多阶信号进行分离和识别。

其中，在变阶次多阶游程受限调制编码中，长游程的阶次裕量留 作DC(Direct Current，直流电)控制使用

与现有技术相比，本发明的技术方案具有如下优点：