[发明专利]等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理方法，是在能够成为真空的处理容器内使第一电极和第二电极隔开规定的间隔平行地配置，与所述第一电极相对置地用第二电极支承被处理基板，将所述处理容器内真空排气至规定的压力，向所述第一电极和所述第二电极之间的处理空间供给包含蚀刻气体的第一处理气体，向所述第一电极施加第一高频从而在所述处理空间生成所述第一处理气体的等离子体，基于所述等离子体，以在被加工膜上形成的抗蚀剂图案为掩模对所述基板上的所述被加工膜进行蚀刻的等离子体处理方法，其特征在于：

作为在所述处理容器内在所述被加工膜的蚀刻处理之前对所述基板进行的抗蚀剂改性处理，包括：

将所述处理容器内真空排气至规定的压力的工序；

向所述第一电极与所述第二电极之间的处理空间供给第二处理气体的工序；

对所述第一电极施加所述第一高频从而在所述处理空间生成所述第二处理气体的等离子体的工序；和

对在所述处理容器内离开所述基板的位置暴露在等离子体中的规定的DC施加部件施加负极性的直流电压，将从所述DC施加部件释放出的电子打入所述基板上的抗蚀剂图案，使得提高所述抗蚀剂图案的耐蚀刻性的工序。

2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述抗蚀剂改性处理中，选定所述负极性直流电压的绝对值，使得从所述DC施加部件释放出的电子以1000eV以上的能量被打入所述抗蚀剂图案。

3.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

将所述负极性直流电压的绝对值选定在1000V以上。

4.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述抗蚀剂改性处理中，选定所述负极性直流电压的绝对值， 使得从所述DC施加部件释放出的电子以1500eV以上的能量被打入所述抗蚀剂图案。

5.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

将所述负极性直流电压的绝对值选定在1500V以上。

6.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述抗蚀剂改性处理中，向所述第一电极施加用于生成等离子体的所述第一高频，向所述第二电极施加离子引入控制用的第二高频，使得在所述第二电极上形成的自偏压为100V以下。

7.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述抗蚀剂改性处理中，以期望的功率向所述第一电极施加用于生成等离子体的所述第一高频，以50W以下的功率向所述第二电极施加离子引入控制用的第二高频。

8.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述抗蚀剂改性处理中，向所述第一电极施加用于生成等离子体的所述第一高频，不向所述第二电极施加高频。

9.如权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述抗蚀剂改性处理之后且在所述被加工膜的蚀刻处理之前，在所述容器内进行修整处理，将所述抗蚀剂图案在与图案面平行的横方向上削成所期望的尺寸。

10.如权利要求9所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述修整处理包括：

将所述处理容器内真空排气至规定的压力的工序；

向所述第一电极与所述第二电极之间的处理空间供给包含蚀刻气体的第三处理气体的工序；

向所述第一电极或所述第二电极施加所述第一高频，在所述处理 空间生成所述第三处理气体的等离子体的工序；和

基于所述等离子体，将所述抗蚀剂图案蚀刻至所述所期望的图案的工序。

11.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述DC施加部件是所述第一电极。

12.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述第一电极的暴露在等离子体中的表面由含有Si的导电材料构成，所述第二处理气体包含卤族气体。