[发明专利]发光二极管装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管装置，包括：

一半导体基板；

凸起区域，形成于上述半导体基板上，上述凸起区域包括一半导体材料；

一第一接触层，位于上述凸起区域上，上述第一接触层具有一非平坦表 面；

一非平坦的活性层，位于上述第一接触层上；以及

一第二接触层，位于上述非平坦的活性层上，上述第二接触层具有一平 坦表面；

其中上述第一接触层与上述活性层在相邻的凸起区域之间为不连续；

且上述第二接触层在相邻的凸起区域之间为连续。

2.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中上述半导体基板包括块状 硅基板。

3.如权利要求2所述的发光二极管装置，其中上述块状硅基板具有(100) 表面方位。

4.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中上述凸起区域包括SiGe。

5.一种发光二极管装置的制造方法，包括：

提供一基板；

在上述基板上形成凸起区域；

在上述凸起区域上形成一第一接触层；

在上述第一接触层上形成一活性层，上述活性层具有一非平坦表面；以 及

在上述活性层上形成一第二接触层，上述第二接触层具有一平坦表面；

其中形成上述凸起区域包括：

在上述基板上形成一掩模层；

图案化上述掩模层，以暴露出上述基板的一部分；

在上述基板暴露的部分上形成凸起区域；

其中上述第一接触层与上述活性层在相邻的凸起区域之间为不连续；

且上述第二接触层在相邻的凸起区域之间为连续。

6.如权利要求5所述的发光二极管装置的制造方法，其中上述活性层在 上述凸起区域之间为不连续。

7.如权利要求5所述的发光二极管装置的制造方法，其中形成上述第二 接触层包括：

形成上述第二接触层以达到较所希望的厚度更厚的厚度；以及

平坦化上述第二接触层至所希望的厚度。

8.如权利要求5所述的发光二极管装置的制造方法，其中上述基板为块 状硅基板。

9.如权利要求5所述的发光二极管装置的制造方法，其中上述基板为块 状硅基板具有(100)表面方位。

10.如权利要求5所述的发光二极管装置的制造方法，其中上述凸起区 域包括SiGe。