[发明专利]电压选择电路、电泳显示装置以及电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及电压选择电路、电泳显示装置以及电子设备。

背景技术

作为有源矩阵型的电泳显示装置，已知在像素内具备开关用晶体管和 存储电路(SRAM，Static Random Access Memory，静态随机存取存储器) 的类型(参照专利文献1)。专利文献1所记载的显示装置，构成为，具 有在形成有开关用晶体管、像素电极的基板上粘接内置有带电微粒的微囊 的结构，通过在夹持微囊的像素电极和共用电极之间产生的电场控制带电 微粒来显示图像。

专利文献1：日本特开2003-84314号公报

专利文献2：日本特愿2007-295996(特开2008-268853号公报)

但是，本申请人提出了进一步改良专利文献1所记载的电泳显示装置 的电泳元件的方案(参照专利文献2)。在该电泳显示装置中，能够独立 控制对锁存电路的图像信号的写入动作和对电泳元件进行电压施加而显示 图像的动作。例如在图像信号的写入时将锁存电路的电源电压设为例如5V 以抑制驱动电路的负载、消耗电力，在显示图像时将锁存电路的电源电压 设为例如15V以得到高对比度的显示。还有，这样的动作也能够适用于专 利文献1所记载的电泳显示装置。

但是，在像上述那样在图像信号的写入时和图像显示动作时使锁存电 路的电源电压不同的情况下，对锁存电路供给电源电压的电源系统，必需 图18所示那样的电压选择电路。

图18(a)所示的电压选择电路641以及图18(b)所示的电压选择电 路642，都是从输出端子Nout输出从驱动用高电平电位VH(例如15V)、 像素写入高电平电位VH(例如5V)以及电池电位VB(例如2V)中选出 的电位的电路。

图18(a)所示的电压选择电路641，具备：具有P-MOS晶体管PM1 和电平移位器(level shifter)LS1的第一开关电路SC11；具有P-MOS晶 体管PM21和电平移位器LS21的第二开关电路SC12；和具有P-MOS晶 体管PM31和电平移位器LS31的第三开关电路SC13。

在电压选择电路641中，有P-MOS晶体管PM1当然使用高耐压晶体 管。而且，P-MOS晶体管PM1、PM21、PM31的各漏极端子连接于共 用的输出布线DL(输出端子Nout)，所以为了能够遮断从第一开关电路 SC11输出的驱动用高电平电位VH，P-MOS晶体管PM21、PM31也使 用高耐压晶体管。

还有，与P-MOS晶体管PM21的栅极端子连接的电平移位器LS21 和与P-MOS晶体管PM31的栅极端子连接的电平移位器LS31，都必须对 P-MOS晶体管PM21、PM31的各自的栅极端子供给驱动用高电平电位 VH，所以必须使用高耐压晶体管来构成。

另一方面，在图18(b)所示的电压选择电路642中，第一开关电路 SC11与电压选择电路641共用。另一方面，第二开关电路SC22构成为具 有N-MOS晶体管NM1和电平移位器LS21，第三开关电路SC23构成为 具有N-MOS晶体管NM2和电平移位器LS32。

即便在第二以及第三开关电路SC22、SC23中具备N-MOS晶体管的 电压选择电路642中，为了遮断从第一开关电路SC11输出的驱动用高电 平电位VH，仍必须将N-MOS晶体管NM1以及N-MOS晶体管NM2设 为高耐压晶体管。

但是，关于第三开关电路SC23的电平移位器LS32，只要能够使 N-MOS晶体管NM2的栅极源极之间的电压(Vgs)成为高于阈值电压的 规定电压即可，所以也可以使例如电池电压升压为图像写入用高电平电位 VL。因此，电平移位器LS32也能够使用5～6V左右的低耐压晶体管。与 图18(a)所示的电压选择电路641相比能够使电路面积稍稍减少。

这样，即便在开关元件使用P-MOS晶体管、N-MOS晶体管的任意一 种的情况下，也必须多个高耐压晶体管，存在电路面积增大这一问题。还 有，高耐压晶体管，因为泄露电流增大而在消耗电力这方面不利，而且尺 寸较大的高耐压晶体管有时会限制电路布局。

发明内容

本发明是鉴于上述现有技术的问题而完成的，其目的之一在于提供一 种能够削减电路面积、并且能够抑制泄露电流的电压选择电路和具备其的 电泳显示装置。