[发明专利]薄膜晶体管的制造方法及显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成第一导电膜；

在所述第一导电膜上形成绝缘膜；

在所述绝缘膜上形成半导体膜；

在所述半导体膜上形成杂质半导体膜；

在所述杂质半导体膜上形成第二导电膜；

在所述第二导电膜上形成包括凹部的第一抗蚀剂掩模，该第一抗蚀剂掩模还包括至少一 个开口部；

通过使用所述第一抗蚀剂掩模对所述绝缘膜、所述半导体膜、所述杂质半导体膜及所述 第二导电膜进行第一蚀刻，至少使所述第一导电膜的表面露出；

通过进行所述第一导电膜的一部分受到侧面蚀刻的第二蚀刻，形成栅电极层；

在形成所述栅电极层之后，通过缩小所述第一抗蚀剂掩模来使与所述第一抗蚀剂掩模的 所述凹部重叠的所述第二导电膜的一部分露出，形成第二抗蚀剂掩模；以及

通过使用所述第二抗蚀剂掩模对所述第二导电膜、所述杂质半导体膜及所述半导体膜的 一部分进行第三蚀刻，形成源电极及漏电极层、源区及漏区和半导体层。

2.一种薄膜晶体管的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成第一导电膜；

在所述第一导电膜上形成绝缘膜；

在所述绝缘膜上形成半导体膜；

在所述半导体膜上形成杂质半导体膜；

在所述杂质半导体膜上形成第二导电膜；

在所述第二导电膜上形成包括凹部的第一抗蚀剂掩模，该第一抗蚀剂掩模还包括至少一 个开口部；

通过使用所述第一抗蚀剂掩模对所述绝缘膜、所述半导体膜、所述杂质半导体膜及所述 第二导电膜进行第一蚀刻，至少使所述第一导电膜的表面露出；

通过缩小所述第一抗蚀剂掩模来使与所述第一抗蚀剂掩模的凹部重叠的所述第二导电 膜的一部分露出，形成第二抗蚀剂掩模；

在形成所述第二抗蚀剂掩模之后，通过进行所述第一导电膜的一部分受到侧面蚀刻的第 二蚀刻，形成栅电极层；以及

通过使用所述第二抗蚀剂掩模对所述第二导电膜、所述杂质半导体膜及所述半导体膜的 一部分进行第三蚀刻，形成源电极及漏电极层、源区及漏区和半导体层。

3.一种薄膜晶体管的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成第一导电膜；

在所述第一导电膜上形成绝缘膜；

在所述绝缘膜上形成半导体膜；

在所述半导体膜上形成杂质半导体膜；

在所述杂质半导体膜上形成第二导电膜；

形成第一抗蚀剂掩模，该第一抗蚀剂掩模包括所述第二导电膜上的凹部，并还包括至少 一个开口部；

使用所述第一抗蚀剂掩模对所述第一导电膜、所述绝缘膜、所述半导体膜、所述杂质半 导体膜及所述第二导电膜进行第一蚀刻；

通过进行所述第一导电膜的一部分受到侧面蚀刻的第二蚀刻，形成栅电极层；

在形成所述栅电极层之后，通过缩小所述第一抗蚀剂掩模来使与所述第一抗蚀剂掩模的 凹部重叠的所述第二导电膜的一部分露出，形成第二抗蚀剂掩模；以及

通过使用所述第二抗蚀剂掩模对所述第二导电膜、所述杂质半导体膜及所述半导体膜的 一部分进行第三蚀刻，形成源电极及漏电极层、源区及漏区和半导体层。