[发明专利]新型氨基-烷氧基锡络合物及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及新型的氨基-烷氧基锡络合物，更准确地说本发明涉及可 用作用于锡和氧化锡薄膜以及用于制造纳米尺寸的锡和氧化锡颗粒的前 体的氨基烷氧基锡络合物及其制备方法。

背景技术

氧化锡于1976年被首次报道并作为具有可见光透过性、红外线反射 性和低电阻的透明导电氧化物而为人所知。由于具有这些特征，氧化锡 已经广泛用于气体传感器、太阳能电池电极和低电阻玻璃涂料等。许多 研究小组正在研究单体形式的、并具有2配位或4配位结构的锡的烷氧 基化物、酰胺和硫族化合物。为制造锡、氧化锡和含有锡的材料，已经 使用了诸如SnCl₄、Sn(CH₃)₄、(CH₃)₂SnCl₂、Sn(C₄H₉)₂(CHCOO)₂、Sn(OAc)₂、 Sn(acac)₂(acac＝乙酰丙酮根)和Sn(XR)₂(X＝O、S、N，R＝甲基、乙基、 异丙基、叔丁基)等前体。所有的合成化合物均通过使用具有巨大位阻的 配体或者通过电子供体底物而得到稳定。最普通的锡化合物在真空室中 通过MOCVD(金属有机化学气相沉积)法经由80℃～450℃的不稳定气相 反应发生热分解。该方法是基于对于作为气相的底物具有反应性的那些 化合物在气相中的分解的方法。但是，该方法受到限制。用于形成薄膜 的分解过慢，但如果分解速率加快，薄膜的品质降低。薄膜可以通过PCVD (等离子体诱导的化学气相沉积)和溅射制造，但是这些方法存在结构 问题和光电子的品质问题(T.W.F.Russel，B.N.Baron and R.E. Rocheleau，J.Vac.Sci.Technol.B2(4)，1984，840；Sanjay Mathur，Hao Shen， Vladimir Sivakov，and Ulf Werner，Chem.Mater.2004，16，2449；Henry Gerung，Scott D.Bunge，Timothy J.Boyle，C.Jeffrey Brinkerab and Sang M. Han，Chem.Commun.，2005，1914；Seigi Suh and David M.Hoffman，Inorg. Chem.1996，35，6164；A.Watanabe，M.Unno，F.Hojo，T.Miwa，J.Mater. Sci.Lett.，2001，20，491；S.Veprek，J.Prokop，F.Glatz，and R.Merica，F.R. Klingan and W.A.Herrmann，Chem.Mater.1996，8，825)。

发明内容

技术问题

本发明人通过引入新型配体以使二烷基氨基与锡配位而开发了一种 新型锡前体，该前体可用于在较低温度下制备锡和氧化锡以及含有锡的 物质，并且具有改善的热稳定性和挥发性而不会受到碳或卤素的污染。

本发明的一个目的是提供一种新型的锡化合物前体及其制备方法， 该前体具有改善的热稳定性和挥发性，从而生成高品质锡和氧化锡、纳 米颗粒以及含有锡的物质。

技术方案

为实现上述目的，本发明提供由式1表示的氨基-烷氧基锡络合物。

[式1]

Sn[O-A-NR¹R²]₂

式1中，A是未取代或取代有卤素的直链或支链的(C2-C10)亚烷基； R¹和R²独立地是未取代或取代有卤素的直链或支链的(C1-C7)烷基。

本发明还提供使用所述氨基-烷氧基锡络合物作为前体制备锡化合 物的方法。

下面详细描述本发明。

式1的锡络合物包括由式2表示的氨基烷氧基锡化合物 (A＝-CR³R⁴(CH₂)_m)。

[式2]